NI 將半導體測試系統的 PXI SMU 通道密度提升 6 倍

作者 | 發布日期 2018 年 02 月 01 日 14:50 | 分類 市場動態 , 晶片 , 會員專區 Telegram share ! follow us in feedly


NI 國家儀器為平台架構系統供應商,致力於協助工程師與科學家解決全球最艱鉅的工程挑戰。1 月 16 日,NI 發表了 PXIe-4163 高密度電源量測單元(SMU),其 DC 通道密度為上一代 NI PXI SMU 的 6 倍,適合用來測試 RF、MEMS 與混合訊號,以及其他類比半導體元件。

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  • NI 將半導體測試系統的 PXI SMU 通道密度提升 6 倍
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