ANSYS 解決方案獲聯電先進 14 奈米製程技術認證

作者 | 發布日期 2018 年 06 月 29 日 12:15 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 line share follow us in feedly line share
ANSYS 解決方案獲聯電先進 14 奈米製程技術認證


ANSYS 宣布其 ANSYS RedHawkTM 和 ANSYS Totem TM 已獲聯華電子(聯電,UMC)的先進 14 奈米 FinFET 製程技術認證。ANSYS 和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。

此次 ANSYS 取得聯電的認證包括萃取、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移(signal EM)以及自發熱(self-heat)分析。聯電的 14 奈米 FinFET 技術與 28 奈米技術相較快 55%,耗電減少 50%,適合需要更多功能,超高效能與超低功耗的應用。

聯電智慧財產開發與設計支援部門總監 T.H. Lin 表示:「聯電不斷改進設計以支援產品,幫助客戶縮短設計時間並加速產品上市時程。我們與 ANSYS 合作無間,雙方共同客戶能夠運用 ANSYS 的多物理場模擬,將設計最佳化,改善效能並減少過度設計(overdesign)。」

ANSYS 總經理 John Lee 表示:「深次微 16 奈米以下的多層次實體效應的相互依存性持續增加,如電源、可靠度和發熱議題,對設計收斂帶來重大挑戰。ANSYS 的半導體解決方案架構針對多層次實體最佳化設計,而聯電認證 ANSYS 解決方案經過嚴格測試和準確規範的確認,有助於雙方共同客戶加速設計收斂。

(首圖來源:shutterstock)