揭開半導體智能進化之謎:閎康科技領航未來神晶元智能化趨勢

作者 | 發布日期 2024 年 07 月 30 日 9:00 | 分類 半導體 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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揭開半導體智能進化之謎:閎康科技領航未來神晶元智能化趨勢

近年來,從 AI 晶片到自動駕駛,再到物聯網和智慧製造等,半導體元件的智能進化正在加速推動各行各業技術革新。(資料來源:閎康科技)

由閎康科技主辦的「產學合作期末成果發表會暨 MAFT 技術講座」,與來自產學界專家們共同探討最新的半導體技術發展與創新應用趨勢。

本次活動演講內容涵蓋多項熱門主題,包括鐵電電容元件、氮化鎵元件的 ESD 特性,以及 Ga 和 SiC 內生位錯密度的分析等。同時,也深入探討先進奈米片電晶體之技術、鍺量子點在量子計算和矽光子領域的應用,以及碳化矽元件所面臨的製程與設計挑戰等重要議題,期望能讓本次參與者全面了解未來半導體技術發展的趨勢。

閎康科技致力於提升新元件與新材料研究的分析檢測能力,結合各大學的研究資源,提供高階分析儀器服務。閎康科技多年來投入產學合作提供經費補助,加速推動基礎及先進技術的應用研究,強化研發能力,促進產業升級,創造產學雙贏的局面。

8 月 22 日舉行的 MAFT 2024 技術發表會中,上午場將有多位來自各大學的頂尖教授分享他們的產學合作期末發表,與會者不僅可以聆聽精彩的技術講解,還能親身參與展示與互動,深入了解教授最新研究成果。清華大學工程與系統科學系的巫勇賢教授將講解如何以創新元件結構與先進材料分析實現低電壓操作、多位元儲存且高可靠度之鐵電電容元件;清華大學半導體學院元件部的徐碩鴻教授則會探討氮化鎵元件的 ESD 特性研究及 ESD 防護設計;中山大學材料與光電科學的張六文教授將介紹利用電子背散射繞射技術(EBSD)表徵 GaN 和 SiC 內生位錯密度與分布的方法。

下午場則是 MAFT 2024 技術發表會,臺灣大學電子工程研究所的劉致為教授將深入講解環繞式閘極奈米片電晶體技術與進階元件,陽明交通大學電子研究所的李佩雯教授將帶領大家進入鍺量子點在量子計算與矽光子的奇妙世界,最後,由陽明交通大學電子研究所的崔秉鉞教授分享碳化矽元件技術與挑戰。這些精彩的演講將為與會者提供深入了解半導體技術發展的機會。

閎康科技主辦的產學合作期末發表會暨 MAFT 技術講座,這次特別將於同一天舉辦,匯集產學合作的豐碩成果與前瞻性技術分享,為您提供更深入的分析技術知識,在技術發展中展現應用價值。

(首圖來源:Shutterstock;資料來源:閎康科技)

產學合作期末發表會 × MAFT 技術發表會

  • 活動主題:未來神晶元-解密半導體元件的智能進化
  • 活動時間:2024/08/22 (四) 09:30~17:30
  • 活動地點:新竹市科學工業園區力行一路 1 號1A3 / 線上
  • 詳細資訊:請點此連結
  • 免費報名:請點此連結
  • 備註:由於實體活動名額有限,若您已有報名且實體名額已滿,您將會被安排為線上觀看,感謝您的理解和配合!

 

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