半導體能源研究所山崎舜平博士刷新「發明人擁有最多專利」金氏世界紀錄稱號,獲 20,120 件專利

作者 | 發布日期 2025 年 10 月 04 日 14:00 | 分類 半導體 , 市場動態 , 科技教育 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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半導體能源研究所山崎舜平博士刷新「發明人擁有最多專利」金氏世界紀錄稱號,獲 20,120 件專利

截至 3 月 31 日,半導體能源研究所股份有限公司(SEL)山崎舜平博士於半導體裝置、顯示器和模擬 AI 等共獲 20,120 件專利,更新他自己的「Most patents credited as inventor」(發明人擁有最多專利)金氏世界紀錄(TM)稱號。這成就大幅更新他之前紀錄:2004 年 3,245 件專利、2011 年 6,314 件專利、2016 年 11,353 件專利。

7月9日六位智慧財產權專業人士驗證紀錄,山崎博士9月17日收到金氏世界紀錄認證證書。專利包括1969年至2025年3月31日頒發的日本、美國、韓國、中國和德國等各國專利。大名鼎鼎的「發明王」湯瑪斯─愛迪生(Thomas Edison,美國,1847~1931)一生共獲2,332件專利,山崎博士已遠遠超過。

山崎先生表示:「2萬餘件專利是近60年研究成果。憑這些紀錄,我們將繼續推動超低功耗LSI和模擬AI等發展,以防止全球變暖。」

山崎舜平博士

工學博士,半導體能源研究所股份有限公司(SEL)董事長兼CEO。

1942年出生。1970年發明稱之為「快閃記憶體」的非易失性記憶體的基本器件(41件專利,包括日本專利第886343號、日本專利申請公開公報第50-36955號公報、美國專利第3,878,549號等基本發明)。1980年,他創立SEL並擔任代表董事。1997年,因在MOS LSI元件創新,日本政府授予紫綬獎章(Medal with Purple Ribbon)。他發表一種有yA/微米(10ˉ²⁴次方A/微米)量級極低關斷電流的氧化物半導體FET(註1、2)。

他是IEEE(美國電氣電子工程師學會)終身會士、瑞典皇家工程科學院(IVA: Royal Swedish Academy of Engineering Science)的外籍會員、世界陶瓷學院(WAC: World Academy of Ceramics)院士和電化學學會(ECS: Electrochemical Society)會員。他還是同志社大學名譽文化博士,同志社社友,稱號僅授予對同志社有傑出貢獻者。

關於半導體能源研究所股份有限公司(SEL)

SEL實行一種專注於研發的獨特商業模式。SEL致力於開發使用結晶性氧化物半導體(包括CAAC-OS,註3)的極低功耗大規模整合電路(OSLSI)、模擬AI、有機EL顯示器以及電子電路和元件以實現更高性能的OLED顯示器。

註1:yA/微米的y(攸)是國際單位制(SI)前綴之一,yA/微米表示「攸安培/微米」或10ˉ²⁴次方A/微米。
註2:K. Kato et al., Jpn. J. Appl. Phys., 51, 021201-01(2012)。
註3:CAAC-OS:c軸結晶氧化物半導體,OSLSI、CAAC-OS和CAAC是SEL的註冊商標(No.5698906、5473535和5473530)。

(本文由 PR Newswire 授權轉載)

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