原廠產能傾向伺服器應用,1Q26 各類記憶體產品價格全面續漲

作者 | 發布日期 2026 年 01 月 05 日 14:30 | 分類 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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原廠產能傾向伺服器應用,1Q26 各類記憶體產品價格全面續漲

TrendForce 最新調查,2026 年第一季由於 DRAM 原廠大規模轉移先進製程、新產能至伺服器、HBM 應用,以滿足 AI 伺服器需求,其餘市場供給嚴重緊縮,預估整體一般型 DRAM(conventional DRAM)合約價季增 55%~60%。NAND Flash 因原廠控管產能,和伺服器強勁拉貨排擠其他應用,估計各類產品合約價持續上漲 33%~38%。

第一季PC DRAM儘管面臨整機出貨下修,和可能的降規導致記憶體需求成長放緩,但DRAM原廠同時收緊對PC OEM和模組廠的供應,造成部分PC OEM須以更高價向模組廠採購,預計將墊高原廠模組行情,大幅推升PC DRAM價格。

AI推論帶動伺服器建置持續驅動美系CSP採購,業者2025年底起持續向原廠釋出拉貨(pull in)或追加伺服器DRAM需求,更因過往成交紀錄、需求展望較佳,獲得原廠位元供給的年增幅較大。原廠庫存水位見底的情況下,出貨規模成長僅能依賴晶圓廠提升產出,加劇供不應求態勢,第一季原廠將積極調漲伺服器DRAM價格,季增逾60%。

手機品牌即便在淡季對記憶體需求不強,然因行動DRAM供給緊縮情況難在短期內改善,且未來數季合約價可能再升高,品牌於第一季維持較強拉貨力道。LPDDR4X、LPDDR5X皆呈現供不應求、資源分配不均情況,價格走強。

繪圖DRAM因NVIDIA RTX 6000系列銷售目標下調,和部分PC OEM下修出貨規劃,需求動能轉趨保守。然產能受製程高度重疊的DDR5排擠,供應偏緊帶動價格上揚。

整體DRAM供給緊繃,消費級DRAM客戶為降低未來缺貨風險,願以較高價格換取原廠第一季的優先供應,但因部分供應商擴產態度謹慎,且後續須保留一定產出給高容量產品,短期仍是供給低於需求,支撐價格上漲。

AI引領NAND Flash市場成長,2026年企業級SSD需求首度超越手機應用

TrendForce表示,第一季因預期筆電出貨季減,且部分中低階機種出現SSD容量降級以壓低BOM cost情形,影響消費級SSD需求。然因原廠追求利潤最大化,消費級SSD供給受資料中心SSD排擠,以高性價比的大容量QLC產品供應最緊,預估第一季消費級SSD合約價季增至少40%,漲幅為各類NAND Flash產品之最。

由於北美CSP業者加碼AI基礎建設,2026年全球伺服器市場迎接成長高峰,帶動企業級SSD需求,預期將成為NAND Flash最大應用。然供應商因產能有限,採取獲利優先與控制出貨策略,供給緊縮格局深化,推升企業級SSD價格。

eMMC / UFS部分,2025上半年手機促銷已提前消耗買氣,加上目前第一季市場處於庫存調整期,預估手機出貨量將明顯季減。即便另一主要應用Chromebook的出貨量受惠於政府標案而逆勢成長,eMMC / UFS需求仍略顯疲弱。供給面因原廠產能占比持續縮減,雖有模組廠能舒緩部分壓力,整體仍是供不應求。

NAND Flash晶圓因消費類產品、零售市場表現低迷,且歷經2025年第四季的激進調漲,預期2026年第一季需求走弱。不過,由於原廠優先將產能投入高毛利產品線,壓縮對模組廠晶圓供應,價格持續上漲。

(首圖來源:shutterstock)

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