日立能源宣布與 Pakal Technologies 合作，將新一代 IGTO(t)™ 矽功率開關導入 ≥3.3kV 高電壓功率模組，應用於軌道運輸、再生能源、儲能與資料中心等領域。
此次合作核心，在於以 IGTO(t) 技術取代部分既有 IGBT 元件。根據 Pakal 公布資料，IGTO(t) 在高電流與高溫條件下的導通損耗可較傳統 IGBT 降低約 30%，同時仍可相容既有模組架構，無須大幅更動系統設計。對於高壓電力轉換設備而言，這意味著在相同體積下可實現更高功率密度，並同步降低散熱與冷卻需求。
功率半導體是現代電網與電力設備的核心元件。隨著資料中心與工業電氣化推動用電需求持續攀升，高電壓功率轉換效率成為系統優化關鍵。日立能源指出，透過結合日立能源在高壓功率模組設計與製造上的百年經驗，以及 Pakal 的新型矽功率開關技術，雙方將共同開發高性能 ≥3.3kV 功率模組，提供全球公用事業與大型工業客戶使用。
Pakal Technologies 表示，IGTO(t) 是自 1980 年代 IGBT 問世以來，首項全新的高電壓矽基功率半導體架構。該技術設計目標在於簡化電力轉換流程，同時提升效率與可靠性。在系統層面，導入 IGTO(t) 可帶來更低的導通損耗與熱負載，進而改善長期營運成本與設備壽命。
市場觀察指出，在 AI 資料中心負載快速成長、再生能源併網比例提高，以及電網升級需求擴大的背景下，功率半導體技術正成為電氣化競賽的關鍵環節。
（首圖來源：hitachi）
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