Tag Archives: 功率半導體

放棄控制權換取生存空間，羅姆選擇聯盟而非被併購

作者古川|發布日期 2026 年 05 月 11 日 7:50 |

分類公司治理 , 半導體 , 汽車科技

日本汽車零組件龍頭電裝（Denso）決定撤回全面收購羅姆（Rohm）的提案，雙方在估值與整合方向難以達成共識，也讓原本以車用功率半導體為核心的垂直整合構想正式告終。相較之下，羅姆轉而與東芝（Toshiba）及三菱電機（Mitsubishi Electric）推動事業整併，意在建立更具規模與彈性的產業聯盟。面對電動車與能源轉換需求升溫，功率半導體成為戰略資產，日本企業在歐美龍頭與中國價格競爭雙重壓力下，正加速重組供應鏈與技術合作路徑，以爭奪下一波產業主導權。繼續閱讀..

全球第 2 大羅姆／東芝／三菱傳合併功率半導體事業

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 03 月 27 日 8:10 |

分類半導體 , 國際貿易

日本半導體大廠羅姆（ROHM）傳出將和東芝（Toshiba）、三菱電機（Mitsubishi Electric）啟動談判，擬將三方的功率半導體事業進行合併，而一旦該整併計畫成真，將催生全球第 2 大功率半導體廠。繼續閱讀..

安世半導體中國子公司宣布 12 吋晶圓晶片小量生產

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 03 月 10 日 10:23 |

分類中國觀察 , 半導體 , 晶圓

根據外電報導，安世半導體中國子公司近日宣布，已成功實現 12 吋矽晶圓晶片的小批量生產，並表示公司在自主研發與量產能力方面取得新的進展。繼續閱讀..

日本功率半導體產業重組？傳 Denso 擬收購 ROHM

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 03 月 06 日 14:50 |

分類公司治理 , 半導體

日本功率半導體產業將進行重組？傳出 DENSO 已向日本半導體大廠羅姆（ROHM）提出收購案，可能將砸 1.3 兆日圓取得 ROHM 所有股權。繼續閱讀..

日立能源導入新型功率半導體，瞄準 AI 與高壓電網應用

作者蘇子芸|發布日期 2026 年 02 月 25 日 10:20 |

分類半導體 , 能源科技

日立能源宣布與 Pakal Technologies 合作，將新一代 IGTO(t)™ 矽功率開關導入 ≥3.3kV 高電壓功率模組，應用於軌道運輸、再生能源、儲能與資料中心等領域。繼續閱讀..

安森美財報遜、盤後摔 EV 需求不振／庫存去化慢

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 02 月 10 日 10:10 |

分類半導體 , 汽車科技 , 財報

美國功率半導體大廠（ON Semiconductor）財報不如預期，主因庫存壓力與電動車（EV）需求放緩拖累前景；財報出爐後盤後股價下挫近 5%。繼續閱讀..

從「出口供應」到「在地製造」：羅姆攜手塔塔，日本電力半導體布局印度的戰略轉向

作者古川|發布日期 2026 年 01 月 06 日 7:50 |

分類半導體 , 晶片

日本電力半導體大廠羅姆（Rohm）宣布，將與塔塔電子合作，在印度生產車用功率半導體（power semiconductors）。乍看之下，這似乎僅是一次因應市場需求的產能配置調整，但在全球半導體競爭逐漸從誰能做得最先進，轉向誰站在對的位置的情況下，Rohm 選擇把製造基地直接設在印度這個政策與需求高度集中的市場，顯然不是一個短期或偶然的判斷，而是對未來十年以上產業結構變化的回應。

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氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 |

分類技術分析 , 會員專區 , 汽車科技

新能源車追求高效與輕量化，推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料，GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度，650V 以下電壓平台具優勢，可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢，部分車廠開始導入相關產品，相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟，GaN 的 650V 以下市場成為新興選項，若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良，未來產業有望形成「高壓用 SiC，中低壓用 GaN」互補格局。繼續閱讀..

車用功率半導體 SiC、GaN，十年內預估成長三倍

作者 Chen Kobe|發布日期 2025 年 10 月 22 日 15:15 |

分類交通運輸 , 汽車科技 , 電動車

隨著電動車持續擴大市占，產品競爭日益激烈，採用高階功率半導體的車款只會越來越多，分析機構預估，至 2036 年前，車用功率半導體市場規模將成長三倍之多。繼續閱讀..

Navitas 與輝達開發的電源晶片有進展、股價飛天

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 10 月 15 日 16:00 |

分類半導體 , 財經 , 零組件

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布，與輝達（Nvidia）合作開發的 AI 基礎建設電源晶片取得進展，股價聞訊飆高。繼續閱讀..

台積電鎖定 12 吋碳化矽新戰場，布局 AI 時代散熱關鍵材料

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 17 日 16:40 |

分類半導體 , 封裝測試 , 晶圓

全球半導體產業邁入人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）驅動的新時代，散熱管理正逐漸成為影響晶片設計與製程能否突破的核心瓶頸。當3D堆疊、2.5D整合等先進封裝架構持續推升晶片密度與功耗，傳統陶瓷基板已難以滿足熱通量需求。晶圓代工龍頭台積電正以一項大膽的材料轉向回應這一挑戰，那就是全面擁抱12吋碳化矽（SiC）單晶基板，並逐步退出氮化鎵（GaN）業務。此舉不僅象徵台積電在材料戰略 recalibration，更顯示散熱管理已經從「輔助技術」升格為「競爭優勢」的關鍵。

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