新研究證明可控制第三類新型磁性，有望提高電子設備速度千倍

每種材料都具獨特磁性，某些材料處於磁場產生很強磁性，某些則為弱磁性，還有一些就算處於磁場也不存在磁性。最近，科學家首次對稱為交替磁性（altermagnetism，AM）的新型磁性進行成像，可能促進新型磁儲存設備開發，並將電子設備運行速度提高千倍。

磁性材料可用於多數長期電腦記憶體和最新一代微電子設備，無論鐵磁性、反鐵磁性材料都各有研究，是個龐大且重要的產業，然而兩者應用於磁性儲存設備便有所限制。

幸運的是，近兩年科學家已發現稱為「交替磁性（altermagnetism，AM）」的第三類新型磁性，具有交替磁性的交替磁體能將鐵磁體、反鐵磁體各自優點結合到單一材料，能使微電子元件、數位記憶體速度提高千倍，同時更加堅固和節能，也能以毒性較小的材料製成。

最近，諾丁漢大學團隊首次創造、操縱一種交替磁材料並對其成像，證明我們可在微型設備控制交替磁性。

團隊以 X 射線研究的交替磁材料為碲化錳合金，實驗中，研究員證明能非常精確調整材料以產生特定磁性方向，改變交變磁結構；簡單來講，團隊除了證實交替磁性能結合常規鐵磁性與反鐵磁性，還可以控制它們。

第三類磁材料有機會徹底改變電腦內存，減少對稀有且高毒性元素的依賴，朝下一代技術實際應用邁出重要一步。

新論文發表在《自然》（Nature）期刊。

• Scientists Have Confirmed the Existence of a Third Form of Magnetism
• Meet The Altermagnets – Materials That Could Make Tech 1,000 Times Faster
• Researchers discover new third class of magnetism that could transform digital devices

（首圖來源：諾丁漢大學）