韓國警方 3 日表示，一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國成都高真科技（CHJS）洩漏 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方。 繼續閱讀..
涉外洩 DRAM 晶片技術給中國，三星前工程師被捕 |
作者
中央社|發布日期
2024 年 12 月 04 日 9:00 |
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