涉外洩 DRAM 晶片技術給中國,三星前工程師被捕 作者 中央社|發布日期 2024 年 12 月 04 日 9:00 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國警方 3 日表示,一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才,加上向中國成都高真科技(CHJS)洩漏 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術,遭逮捕並移送檢方。 繼續閱讀..