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全球首款!SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND,年內量產

作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導,南韓半導體大廠 SK 海力士(SK Hynix Inc.)於 4 日宣布,已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示,現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF(Charge Trap Flash,電荷儲存式快閃記憶體),而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC(Peri Under Cell)」技術,研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell(Triple Level Cel,TLC)4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..