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第四代半導體氧化鎵為何值得期待?有何優勢與前景?

作者 |發布日期 2021 年 10 月 21 日 10:00 | 分類 晶圓 , 零組件

隨著以 SiC 與 GaN 為主的第三代半導體應用逐漸落地,被視為第四代之超寬能隙氧化鎵(Ga2O3)和鑽石等新一代材料,成為下一波矚目焦點,特別是 Ga2O3 在超高功率元件應用有著不容小覷的潛力,而其優勢與產業前景又究竟為何?(本文出自國立陽明交通大學電子研究所的洪瑞華特聘教授,於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「第四代半導體 Ga2O3 技術原理、優勢與產業前景」文稿,經科技新報修編。) 繼續閱讀..