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三星中國西安廠 NAND 升級 236 層量產,286 層製程今年導入

作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 11:00 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據韓媒《Etnews》報導,三星電子正加快 NAND Flash 先進製程布局,已完成中國西安工廠第一階段製程轉換,將原有 128 層產品全面升級為 236 層第 8 代 NAND(V8),並正式進入量產。同時,公司亦規劃於今年內導入 286 層第 9 代 NAND(V9),持續強化競爭力。 繼續閱讀..