SK keyfoundry 成功開發 450V-2300V SiC 平面 MOSFET 製程平台，斬獲 1200V 新品訂單，正式開啟 SiC 業務全面布局 |
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PR Newswire|發布日期
2026 年 03 月 13 日 14:00 |
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韓國 8 吋純晶圓代工廠（Foundry）SK keyfoundry 宣布，公司近期已完成 SiC（碳化矽）平面 MOSFET 製程平台的開發。目前，該平台在新一代化合物功率半導體市場中深受青睞。此外，公司也透露已獲得一家新客戶的 1,200 V SiC MOSFET 產品開發訂單，其全面啟動 SiC 化合物半導體代工業務。
SK keyfoundry 推出第四代 200V 高壓 0.18 微米 BCD 製程 |
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PR Newswire|發布日期
2026 年 01 月 29 日 14:00 |
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韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 近日宣布，其第四代 200V 高壓 0.18 微米 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）製程已正式推出，並將與國內外主要客戶啟動全面的產品開發，目標在年內實現量產。
SK keyfoundry 推出高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質製程 |
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PR Newswire|發布日期
2025 年 10 月 01 日 14:00 |
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韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布推出具業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 （Thick IMD）電容製程。 繼續閱讀..
SK keyfoundry 攜手 LB Semicon 聯合開發 Direct RDL，推動半導體封裝技術升級 |
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PR Newswire|發布日期
2025 年 07 月 19 日 14:00 |
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韓國8吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布，該公司已攜手 LB Semicon 成功聯合開發基於 8 吋晶圓的關鍵封裝技術 Direct RDL（重布線層），並完成了可靠性測試。此舉代表新一代半導體封裝技術的重要突破，也大大增強了汽車半導體產品的競爭力。
