韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布推出具業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 （Thick IMD）電容製程。 繼續閱讀..
SK keyfoundry 推出高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質製程 |
作者
PR Newswire|發布日期
2025 年 10 月 01 日 14:00 |
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Tag Archives: SK keyfoundry
SK keyfoundry 攜手 LB Semicon 聯合開發 Direct RDL，推動半導體封裝技術升級 |
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作者
PR Newswire|發布日期
2025 年 07 月 19 日 14:00 |
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韓國8吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布，該公司已攜手 LB Semicon 成功聯合開發基於 8 吋晶圓的關鍵封裝技術 Direct RDL（重布線層），並完成了可靠性測試。此舉代表新一代半導體封裝技術的重要突破，也大大增強了汽車半導體產品的競爭力。
