韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布推出具業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)電容製程。 繼續閱讀..
SK keyfoundry 推出高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質製程 |
作者 PR Newswire|發布日期 2025 年 10 月 01 日 14:00 | 分類 半導體 , 市場動態 , 晶圓 |
SK keyfoundry 推出高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質製程 |
作者 PR Newswire|發布日期 2025 年 10 月 01 日 14:00 | 分類 半導體 , 市場動態 , 晶圓 | edit |
韓國 8 吋純晶圓代工廠 SK keyfoundry 宣布推出具業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)電容製程。 繼續閱讀..