紫光、南京敲定半導體基地建設,擴張 3D NAND Flash 產能

作者 | 發布日期 2017 年 01 月 19 日 14:59 | 分類 晶片 follow us in feedly

中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露,未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠,而話才說沒多久,18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約。



18 日紫光集團與南京市政府正式就半導體產業基地項目進行簽約,包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨省長石泰峰、南京市委書記吳政隆等人都出席簽約儀式。

據悉,此次半導體基地投資主要將用於生產 3D NAND Flash、DRAM 等記憶體晶片,土地面積約 1500 畝,一期將投入約 100 億美元,目標月產能約 10 萬片,但官方並未透露量產的明確時程。

紫光集團先前聯合武漢新芯共組長江存儲,有意從 3D NAND Flash 取道進入記憶體產業,技術來源就是與現已併入賽普拉斯(Cypress)的飛索半導體(Spansion)合作,傳聞雙方目標在 2017 年或 2018 年初推出 32 層堆疊 3D NAND Flash,然目前仍未有動靜,長江存儲近日甚至發布新聞稿澄清,從未發表過  32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息,目前連要生產的產品都還未有著落。

紫光/長江存儲量產 3D NAND Flash 產品的廠房日前才在 12 月底動土,項目總投資金額約 240 億美元,預期於 2018 年完成建廠投產、2020 年完成整個項目,總產能將達到 30 萬片一個月。紫光集團趙偉國在 11 日喊出 2017 年將在南京與成都再投資半導體製造基地,這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。

紫光與成都政府去年 12 月 13 日已簽署《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》規劃於成都建廠,現在 18 日再與南京市政府簽約,就看紫光何時真正開始展開建設!

(首圖來源:中國荔枝新聞

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