美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體 |
作者
Sanada Yukimura |
發布日期
2013 年 10 月 02 日 10:44 |
分類
市場動態
, 會員專區
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半導體解決方案供應商美高森美公司，近日推出新型 750W RF 電晶體，擴展其基於碳化矽（silicon carbide, SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride, GaN）高電子移動率電晶體（high electron mobility transistor, HEMT）技術的射頻（radio frequency, RF）功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV 提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達（secondary surveillance radar, SSR），這種設備全球各地都在使用，以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約 200 英里範圍內的飛機。
