意法半導體（ST）推出新款 100V 電晶體，為汽車應用帶來更高的能效

意法半導體最先進的 STripFET F7 系列低電壓功率 MOSFET 新添三款 100V 車規產品。

STH315N10F7-2、STH315N10F7-6 和 STP315N10F7 最佳化了體汲極二極體（body-drain diode）性能，在工作電壓範圍內最大幅度地降低電壓突波（voltage spikes）和開關噪音，實現更穩固、更可靠和更高效的設計。

STripFET F7 經強化的通道閘（trench-gate）架構可降低通態電阻，同時降低內部電容和閘電荷，使開關速度更快、能效更高。這三款產品將這些優勢導入汽車市場，創下汽車市場上最低的 R_DS（on）x 面積和關機電能（E_off）參數。

新產品對 C_rss/C_iss 電容比進行了最佳化設計，最大幅度地降低開關噪音，結合適合的二極體反向恢復軟度（reverse-recovery softness），可降低 EMI/EMC 電磁輻射，因此無需外部濾波電路，從而降低了電路板面積和成本。

新功率 MOSFET 是意法半導體針對汽車應用專門開發的產品，能夠滿足汽車應用對大電流、高功率密度和高能效的要求，目標應用包括混合動力汽車和電動車的 DC/DC 轉換器、DC/AC 逆變器和諧振 LC 轉換器。

三款產品全都獲得 AEC-Q101 車規產品認證。STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 採用低雜散電感（stray inductance）、高輸出電流的 H2PAK 封裝，而 STP315N10F7 採用標準的 TO-220 封裝。

STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 現已量產。

了解更多詳情