Diodes 晶片級雙向 MOSFET 省空間,提高鋰電池容量

作者 | 發布日期 2015 年 02 月 02 日 17:31 | 分類 市場動態 , 晶片 , 電池 line share follow us in feedly line share
Diodes 晶片級雙向 MOSFET 省空間,提高鋰電池容量


Diodes 公司(Diodes Incorporated)推出雙向 MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4 的低導通電阻可降低功耗,纖薄的晶片級封裝則使設計人員能利用省下來的空間來提高電池容量。新產品的目標終端市場包括智慧型手機、平板電腦、照相機、可攜式媒體播放器,以及尺寸、重量和電池壽命都對其至關重要的同類型消費性產品。

DMN2023UCB4 的 RSS(on)少於 26mΩ,旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外,其雙 N 通道共汲極組態特別適合一般使用低側電池開關的充電電路,從而滿足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至於要求高端連接的應用,Diodes 公司也推出了 DMP2100UCB9,提供雙 P 通道共源 MOSFET 設計。

這款新一代雙向 MOSFET 憑藉這些功能,加上占位面積僅 1.8mm x 1.8mm、厚度少於 0.4mm 的晶片級封裝,非常適合注重外形小巧的電池管理、負載開關及電池保護應用。其他功能還包括少於 1V  的閘極臨限電壓,有助於全面提升通道在低電壓下操作的效能,以及防止靜電放電電壓超過 2kV 的閘極保護能力。