中國 DRAM 策略方案呼之欲出,技術來源、研發團隊與 IP 智財是關鍵亦是挑戰

作者 | 發布日期 2015 年 06 月 16 日 14:05 | 分類 中國觀察 , 晶片 line share follow us in feedly line share
中國 DRAM 策略方案呼之欲出,技術來源、研發團隊與 IP 智財是關鍵亦是挑戰


TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示,自 2014 年 10 月 14 日中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(中國簡稱大基金)成立,挾帶著 1,300 億人民幣基金,中國政府正有計畫的向全世界鋪天蓋地吸納可用資源,展開購併計畫與策略結盟。中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組,對於中國 DRAM 未來的發展已有明確的方向,同時遴選了半導體相關的頂尖業界人士擔當評審委員,跳脫傳統的政治評估,各地方政府擁有的技術、人力、財力及資源才是評中入選的重要考量點。 

如果中國 DRAM 研發與發展團隊正式成軍,將牽動著中國半導體相關公司間的策略結盟與高層異動,此外,蓋廠的同時也帶動具群聚效應的半導體業者往中國靠攏,全球高階設計研發製程人才版圖亦將往中國市場逐漸移動。目前已經呼之欲出的方案,是以既有的半導體基地、公司為發展基礎,結合中國具相關經驗的高階幹部,結盟相關中國半導體公司與 IC 設計公司。而與三大 DRAM 廠洽談合作機會的方針也持續進行中。

 

中國挾帶資金與市場,擁有技術來源、團隊與 IP 智財將是成功關鍵

DRAMeXchange 表示,中國政府挾帶豐沛資金與廣大市場宣示進軍全球半導體產業,DRAM 產業將是中國進入半導體的重要目標;但業界先進如三星、SK 海力士與美光在 DRAM 業界耕耘已久,眾多的 IP 智財亦形成了門檻極高的競爭壁壘。由於缺乏 DRAM 三大陣營的技術來源與相關生產經驗,藉由購併並取得 IP 成了中國進軍 DRAM 領域最快的敲門磚。去年的英特爾與展訊的模式就是一例,一者提供技術支援、一者在中國本土市場有先佔優勢,互相合作可望帶來加乘效果。而今年 6 月 11 日中國武岳峰資本再度以每股 21 美元,高於另家美國半導體公司賽普拉斯的原先報價 20.25 美元奪回美國上市的芯成半導體,亦可看出中國政府對於取得 IP 智財提升 DRAM 領域技術競爭力的重要性。

至於擁有豐富半導體經驗與技術的台灣,也是中國亟欲合作的對象,各省市負責高層頻頻來台親自拜會相關公司,看中的就是台灣在全球的研發團隊在強勁研發實力與國際接軌能力皆屬名列前茅,更不排除從台灣等地招募有經驗的 DRAM 團隊。

DRAMeXchange 表示,發展 DRAM 產業已經是中國既定的政策,能否找到技術合作的伙伴、有豐富經驗的團隊與 IP 智財的取得,將是未來中國半導體計畫能否成功,甚至加速量產的關鍵。不同於 NAND Flash 產品,即使品質不好亦有低階產品可以使用,DRAM 產品不論容量大小都不容許任何錯誤,如果技術到位,中國將先切入技術較容易的標準型記憶體與利基型記憶體,再進軍近年成長快速的 Mobile DRAM,軟硬體的整合預估最快需要 3~7 年,初期首重中國內需市場,並以全球市場為目標推進。

(首圖來源:Flickr/htomari CC BY 2.0)