2016 年 DRAM 價格持續下滑，有賴 20 奈米製程轉進維持獲利空間

2015 年受到需求面不振、持續供過於求的影響，DRAM 價格呈現顯著衰退，尤其以標準型記憶體最為明顯。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示，在寡佔市場型態下，雖然小幅供過於求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續 2013 年與 2014 年態勢，今年 DRAM 各廠仍維持全面獲利。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，2016 年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展。DRAMeXchange 預估 2016 年整體 DRAM 需求約為 23%，供給位元成長約為 25%。市場仍維持小幅供過於求，DRAM 單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降以及產品組合的調配。

2016 年 DRAM 產業趨勢分析如下：

年度位元產出來自 20 奈米製程轉進，晶圓投片量大約持平

吳雅婷表示，DRAM 屬寡佔市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭的市場型態的 NAND Flash 健康許多。2016 年的位元產出主要是來自於 SK 海力士與美光半導體 20 / 21 奈米的轉進，晶圓產能上，除三星的 Line17 可能再微幅上升、SK 海力士的新廠 M14 會陸續啟用之外，2016 年 DRAM 總投片量與 2015 年呈現持平。

DDR4 正式取代 DDR3 成為市場主流

隨著市場需求轉變以及 20 奈米逐漸成熟，DDR4 的生產比例越來越高。2015 年由於 Intel 平台支援度的問題，DDR4 的導入主要發生在伺服器端，並且已經率先在第四季取代 DDR3 成為主流。DRAMeXchange 預估，個人電腦 / 筆記型電腦端由新平台 Skylake 開始採用 DDR4，將會在 2016 年第二季起放量，成為主流解決方案。

行動式記憶體與伺服器記憶體生產比重持續提升

智慧型手機受惠於 20nm 製程產出的 LPDDR4 普及度越來越高，高階旗艦機種（除 Apple 以外）以 3GB / 4GB 為標準規格。吳雅婷指出，2016 年第二季起就會有單機 DRAM 搭載容量上達 6GB 的機種問市，大幅增加行動式記憶體的需求動能。伺服器記憶體亦然，受惠於 20nm 製程產出的 DDR4 普及度升高，在高容量 32GB / 64GB 模組成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助於伺服器記憶體生產比重提升。

中國進軍 DRAM 意圖仍在，但進入門檻高，難有進展

2016 年中國持續發展半導體的策略不變，仍將有許多購併發生，記憶體方面更是中國發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與 NAND Flash 較為混亂的市場態勢相較，DRAM 市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求，因此三強與中國合作可能性低，使得中國欲進軍 DRAM 產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。