Micro LED 製造成本居高不下,影響商用化進程,原因在於關鍵的巨量轉移技術瓶頸仍待突破。TrendForce LED 研究(LEDinside)最新「Micro LED 轉移技術與檢測維修技術分析報告」顯示,目前全球廠商積極布局轉移製程,但考量每小時產出量(UPH)、良率及晶粒大小(<100µm)尚無法達到商品化的水準,廠家紛紛尋求晶粒大小約 150µm 的「類 Micro LED」解決方案,預計 2018 年「類 Micro LED」顯示與投影模組產品將率先問世,待巨量轉移製程穩定後再朝向 Micro LED 規格產品邁進。
Micro LED 巨量轉移技術面臨七大挑戰
LEDinside 研究副理楊富寶表示,Micro LED 製程目前面臨相當多的技術挑戰,在四大關鍵技術中,轉移技術是最困難的關鍵製程,必須突破的瓶頸包括設備的精密度、轉移良率、轉移時間、製程技術、檢測方式、可重工性及加工成本。由於涉及的產業橫跨 LED、半導體、面板上下游供應鏈,舉凡晶片、機台、材料、檢測設備等都與過去的規格相異,使得技術門檻提高,而異業間的溝通整合也拉長研發時程。
以現有的發展狀況看來,LEDinside 認為室內顯示螢幕、智慧手錶和智慧手環將會是首先應用 Micro LED 的產品。由於轉移技術的難度甚高,各應用產品所需求的像素多寡不同,投入的廠商多半先以既有的外延焊接設備(Wafer Bonding)來做研發,或選擇像素數量較少的應用產品為目標,以縮短開發時間。也有廠商直接轉向研發薄膜轉移(Thin Film Transfer)技術,但因設備須另外設計及調整,必須投入更多資源與時間,可能產生更多製程問題。