半導體資本支出估創高，DRAM 增 53% 最多

研調機構 IC Insights 預估，今年全球半導體資本支出金額估達 809 億美元，將創下歷史新高紀錄；其中，DRAM 今年資本支出將激增 53%，是增加幅度最大的產品領域。

今年上半年半導體資本支出大幅增加，IC Insights 將今年度半導體資本支出預估金額，自先前的 756 億美元，調高到 809 億美元，較去年增加 20%，並將一舉刷新歷史新高紀錄。

IC Insights 預估，今年動態隨機存取記憶體（DRAM）資本支出金額將達 130 億美元，較去年大增 53%，是增加幅度最大的領域；儘管這些支出將主要用以推進技術，不過，SK 海力士（SK Hynix）也將增加產能。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash）今年資本支出將達 190 億美元，仍將高於 DRAM 的水準，也將較去年增加 33% ，IC Insights 認為，NAND Flash 的資本支出將主要投入 3D NAND Flash 製程技術。

晶圓代工今年資本支出約 228 億美元，將較去年略增 4%，是半導體資本支出金額最多的領域，所佔比重將達 28%。

（作者：張建中；首圖來源：shutterstock）