隨半導體產業朝更先進製程發展之際，宜特電路修補技術（IC Circuit Edit）檢測技術再突破！宜特今（7/6）宣佈，宜特通過客戶肯定，IC 晶片 FIB 電路修補技術達 5 奈米（nm）製程。這是從 2018 年首度完成 7 奈米（nm）製程的樣品後，再次挑戰更先進製程的電路修補，並成功的完成挑戰，協助客戶進行晶片性能優化，加速產品上市。
宜特針對 IC 設計業者為何須進行電路修補進行說明。先進製程的開發成本越趨昂貴、晶圓產能短缺交期更長，即使電路模擬軟體（如 EDA 工具）的輔助設計不斷提升，仍無法確保晶片成品能百分之百達到設計目標，一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版；然而光罩價格不斐，且重新下光罩後，等待修改過後的晶片時間通常超過一個月，因此，多數 IC 設計業者，會選擇IC電路修補，只需幾個小時內即可完成修改，確保電路設計符合預期，並降低時間及金錢的成本耗損。
宜特進一步說明，電路修改最常使用的工具為 FIB（Focus Ion Beam）聚焦離子束電子顯微鏡，是利用鎵（GA+）離子源透過電場牽引成離子束，高速碰撞樣品表面產生二次離、電子收集後成像；而離子轟擊過程中利用注入不同氣體，對晶片上各種材料進行選擇性地加速或減緩蝕刻，以及沉積導電和介電絕緣材料，達到修改電路的目的，搭配 CAD 導航系統輔助，準確的定位目標，提高電路修補精準度。
宜特是台灣首家執行 FIB 電路修補的民營實驗室，翻轉IC設計業以往的驗證模式，大幅縮短 IC 設計公司從概念設計到量產上市時間並節省研發經費， 宜特目前的電路修補技術不僅可完成5nm晶背電路修補外，今年更引進的最新設備，其影像解析度更由 4.5nm 提升至 3.5nm，提高深層、微小線徑及複雜電路修補的成功率，並且其介電材料有更高的電阻率（1E15 uΩ-cm），絕緣效果更加強化，挑戰更先進製程。
▲路徑追蹤示意圖，假設此先進製程為 9M+AP，從晶片正面（Front side）施工 M4，需要穿過 6 層金屬層（Metal: AP~M5）難度高；宜特 FIB 電路修補實驗室改由晶背（Back side）方向，僅需穿過Active Area （AA）層，並簡化內容在 M1 施工，大幅提升先進製程電路修補的成功率。
關於 iST 宜特
始創於 1994 年，iST 宜特從 IC 線路除錯及修改起家，逐年拓展新服務，包括故障分析、可靠度驗證、材料分析等，建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客群囊括電子產業上游 IC 設計至中下游成品端，並建置車用電子驗證平台、高速傳輸訊號測試。更多訊息請上官網 https://www.istgroup.com
（圖片來源：宜特科技）
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