宜特 IC 電路修補能力突破 5 奈米製程

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 06 日 14:31 | 分類 市場動態 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


隨半導體產業朝更先進製程發展之際,宜特電路修補技術(IC Circuit Edit)檢測技術再突破!宜特今(7/6)宣佈,宜特通過客戶肯定,IC 晶片 FIB 電路修補技術達 5 奈米(nm)製程。這是從 2018 年首度完成 7 奈米(nm)製程的樣品後,再次挑戰更先進製程的電路修補,並成功的完成挑戰,協助客戶進行晶片性能優化,加速產品上市。

宜特針對 IC 設計業者為何須進行電路修補進行說明。先進製程的開發成本越趨昂貴、晶圓產能短缺交期更長,即使電路模擬軟體(如 EDA 工具)的輔助設計不斷提升,仍無法確保晶片成品能百分之百達到設計目標,一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版;然而光罩價格不斐,且重新下光罩後,等待修改過後的晶片時間通常超過一個月,因此,多數 IC 設計業者,會選擇IC電路修補,只需幾個小時內即可完成修改,確保電路設計符合預期,並降低時間及金錢的成本耗損。

宜特進一步說明,電路修改最常使用的工具為 FIB(Focus Ion Beam)聚焦離子束電子顯微鏡,是利用鎵(GA+)離子源透過電場牽引成離子束,高速碰撞樣品表面產生二次離、電子收集後成像;而離子轟擊過程中利用注入不同氣體,對晶片上各種材料進行選擇性地加速或減緩蝕刻,以及沉積導電和介電絕緣材料,達到修改電路的目的,搭配 CAD 導航系統輔助,準確的定位目標,提高電路修補精準度。

宜特是台灣首家執行 FIB 電路修補的民營實驗室,翻轉IC設計業以往的驗證模式,大幅縮短 IC 設計公司從概念設計到量產上市時間並節省研發經費, 宜特目前的電路修補技術不僅可完成5nm晶背電路修補外,今年更引進的最新設備,其影像解析度更由 4.5nm 提升至 3.5nm,提高深層、微小線徑及複雜電路修補的成功率,並且其介電材料有更高的電阻率(1E15 uΩ-cm),絕緣效果更加強化,挑戰更先進製程。

▲路徑追蹤示意圖,假設此先進製程為 9M+AP,從晶片正面(Front side)施工 M4,需要穿過 6 層金屬層(Metal: AP~M5)難度高;宜特 FIB 電路修補實驗室改由晶背(Back side)方向,僅需穿過Active Area (AA)層,並簡化內容在 M1 施工,大幅提升先進製程電路修補的成功率。

關於 iST 宜特

始創於 1994 年,iST 宜特從 IC 線路除錯及修改起家,逐年拓展新服務,包括故障分析、可靠度驗證、材料分析等,建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客群囊括電子產業上游 IC 設計至中下游成品端,並建置車用電子驗證平台、高速傳輸訊號測試。更多訊息請上官網 https://www.istgroup.com
(圖片來源:宜特科技)

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