預估 2022 年 DRAM 產值達 915 億美元,下半年起可望扭轉跌價態勢

作者 | 發布日期 2021 年 11 月 04 日 14:30 | 分類 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


根據 TrendForce 研究顯示,2022 年的 DRAM 供給位元成長率約 18.6%,然而由於目前買方庫存水位已偏高,加上 2022 年需求位元成長率僅 17.1%,明年 DRAM 產業將由供不應求轉至供過於求。儘管 DRAM 價格將因供過於求而出現下滑,但在寡占市場型態下,整體產值並不會大幅下跌,預估 2022 年的 DRAM 總產值將達 915.4 億美元,年增微幅上升 0.3%。

TrendForce以明年各季的供過於求比例(以下稱sufficiency ratio)做為預測基礎,預期DRAM平均銷售單價將年減15%,而價格下滑幅度在上半年較為明顯;下半年起將受惠於DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動,均價跌幅將收斂,不排除有持平或漲價的可能性。

高層數產品競爭者眾,NAND Flash明年產值再增7.4%

NAND Flash方面, 2022年供給位元年增長率約31.8%;而需求位元年成長幅度為30.8%,故明年NAND Flash價格也將受供過於求影響而有所下滑。此外,由於NAND Flash屬完全競爭市場,均價下滑的幅度較DRAM更加明顯,然而NAND Flash在層數結構的堆疊持續推進,故在供給位元成長仍維持在30%以上的情況下,預估2022年NAND Flash總產值仍有成長空間,達741.9億美元、年增7.4%。

同樣以明年各季的sufficiency ratio做為預測基礎,推估2022年平均銷售單價將年減18.0%,而價格下滑幅度也是在上半年度較為明顯,下半年起將受惠於旺季需求效應帶動,均價跌幅較為收斂,或有單季價格持平的可能性。

整體而言,DRAM與NAND Flash歷年的總產值變化,由於兩者競爭型態的不同,DRAM基本上在產能擴張上較有紀律,故長期均價的波動性較小,同時20nm以下製程微縮已經逐漸達到物理極限,使得年度位元成長增幅有限;而NAND Flash在產能擴張的規劃則較不穩定,再加上產品的層數仍能持續提升,故長期均價的波動性較大,進而呈現DRAM產值成長幅度不及NAND Flash的態勢,但獲利表現方面則反之。

資本支出持續拉高,產值若無法跟進成長,恐壓抑廠商獲利能力

從資本支出來看,DRAM方面,近年來其整體資本支出對營收占比(以下稱CAPEX to sales ratio)逐漸升高有兩大原因,首先,由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限,在20nm製程以後,除了美光(Micron)1alpha nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外,其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm製程,成長已經收斂至15%以內。2022年三星(Samsung)與SK海力士(SK hynix)的最先進製程將正式導入關鍵機台EUV,而該機台的生產交期長且造價高昂,使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出,以因應EUV的前置訂單。

其次,由於DRAM已形成寡占市場型態,即便偶爾出現均價下跌週期,也因為供應商的生產秩序形成,銷售均價難以跌破總生產成本(fully loaded cost),故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產品的生產獲利。由於製程轉進不易,除三大原廠以外,市占較小的南亞科(Nanya Tech)、華邦(Winbond)等廠商皆有實際擴產計畫,成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續升高的另一大原因。

NAND Flash方面,其CAPEX to sales ratio自2017年轉進3D NAND技術以來即有顯著提升,該年之前平均達25~30%,目前提升到平均近40%。主因是隨著3D堆疊層數的上升,除了拉長產品生產所需時間,對於蝕刻難度、精準度的要求也一併提升,主流層數正朝向1YY層世代邁進,供應商同時開始研發2XX層產品技術,對於單次蝕刻深度的要求不斷增加,顯示出該產業所需的資本支出總額隨著層數提升、產值增加而持續成長。

TrendForce表示,由於NAND Flash堆疊層數的技術推進,未來供應商仍將持續追求推進更高層數,以降低每GB的生產成本。因此,預期該產業的資本支出仍有增長空間,且CAPEX to sales ratio將維持在接近40%或以上。值得注意的是,若未來數年產值無法跟進支出的成長速度,恐將造成CAPEX to sales ratio過度上升,進而壓抑供應商獲利能力。

(首圖來源:shutterstock)

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