不忍了！SK 海力士與長江存儲宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash
作者 | 發布日期 2022 年 08 月 03 日 14:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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不忍了！SK 海力士與長江存儲宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash

日前美商記憶體大廠美光科技 (Micron) 領先業界推出 232 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，南韓 SK 海力士與中國長江存儲不忍了，也分別宣布開發完成 238 層及 232 層堆疊 NAND Flash 產品，代表往更高容量發展的 NAND Flash 技術競爭持續。

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