不忍了！SK 海力士與長江存儲宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash

日前美商記憶體大廠美光科技 (Micron) 領先業界推出 232 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，南韓 SK 海力士與中國長江存儲不忍了，也分別宣布開發完成 238 層及 232 層堆疊 NAND Flash 產品，代表往更高容量發展的 NAND Flash 技術競爭持續。

SK 海力士表示，不久前已向客戶送交 238 層堆疊的三層儲存單元 (TLC) NAND Flash 樣品，預定 2023 年量產。相較上一代 176 層堆疊 NAND Flash，相同面積晶片容量增加 34%，傳輸速度 238 層堆疊 NAND Flash 達 2.4Gb，較上一代提升 50%，耗能降低 20%，以符合對 ESG 標準的承諾。

SK 海力士 238 層堆疊 NAND Flash 先供應 PC 儲存設備的 SSD，之後提供智慧型手機和伺服器大容量 SSD。2023 年量產後，除了推出 512GB 的 238 層堆疊 NAND Flash 產品，還將推出 1TB 的 238 層堆疊 NAND Flash 產品，容量成長一倍。

中國媒體報導，長江存儲於 2022 快閃記憶體高峰會（FMS）宣布，推出採 Xtacking 3.0 技術的第四代 TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體 X3-9070。X3-9070 NAND Flash 晶片堆疊層數達 232 層，有高達 2400MT/s 的 I/O 傳輸速率，符合 ONFI5.0 規範，相較上一代 176 層堆疊 NAND Flash 產品有 50% 性能提升。

長江存儲 232 層堆疊 NAND Flash 產品 X3-9070 受惠於創新 6-plane 設計，允許裸晶執行更多並行任務，帶來更出色的隨機讀取資料量。X3-9070 相較傳統 4-plane 設計，除性能提升 50% 以上外，功耗降低 25%，能效比顯著提升，為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本。不過長江存儲沒有宣布 X3-9070 何時量產。

(首圖來源：SK 海力士)