聯電通過 324 億元資本預算,擴建南科及新加坡廠

作者 | 發布日期 2022 年 12 月 14 日 18:25 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share follow us in feedly line share
聯電通過 324 億元資本預算,擴建南科及新加坡廠


聯電董事會今天通過資本預算執行案,預計投資金額達新台幣 324.17 億元,將主要建置南科晶圓 12A 廠 P6 廠區及新加坡 P3 廠。

聯電指出,南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元,逾新台幣3千億元,將於3~4年內完成投資。

新加坡P3廠位於白沙晶片園(Pasir Ris Wafer Park),預計2025年量產,以22奈米及28奈米製程生產。因缺工缺料及機台交期長影響,量產時程將較規劃的2024年底延遲超過一季。

聯電表示,南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠投資金額將以自有資金支應,並不會影響未來股利發放,將維持穩定配發率。

(作者:張建中;首圖來源:聯華電子