聯電通過 324 億元資本預算，擴建南科及新加坡廠

聯電董事會今天通過資本預算執行案，預計投資金額達新台幣 324.17 億元，將主要建置南科晶圓 12A 廠 P6 廠區及新加坡 P3 廠。

聯電指出，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元，逾新台幣3千億元，將於3~4年內完成投資。

新加坡P3廠位於白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），預計2025年量產，以22奈米及28奈米製程生產。因缺工缺料及機台交期長影響，量產時程將較規劃的2024年底延遲超過一季。

聯電表示，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠投資金額將以自有資金支應，並不會影響未來股利發放，將維持穩定配發率。

（作者：張建中；首圖來源：聯華電子）