日本 Rapidus、東大攜手法國機構 Leti，研發 1 奈米晶片技術

目標將次世代半導體（晶片）國產化的日本 Rapidus、東京大學將和法國半導體研究機構 Leti 攜手研發 1 奈米（nm）晶片技術，已簽署考慮合作的備忘錄。

日經新聞16日報導，日本晶片製造商Rapidus、東京大學將和Leti攜手研發1nm等級晶片設計的基礎技術，將在2024年正式展開人才交流、技術共享，目標活用Leti的半導體元件技術，建構提升自動駕駛、人工智慧（AI）性能所不可或缺的1nm晶片產品供應體制。

據報導，Rapidus、東大等日本國立大學以及理化學研究所參與的研究機構「最先進半導體技術中心（LSTC）」和Leti已在10月簽訂考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標是確立1.4nm-1nm晶片研發所必要的基礎技術。

報導指出，在2nm晶片的量產上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發機構imec合作，且也考慮在1nm等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以後普及的1nm產品運算性能將較2nm提高1-2成。

美國麥肯錫指出，全球半導體市場規模預估將在2030年之前達到1兆美元、將較2021年的約6,000億美元大增約7成。台灣台積電、韓國三星電子將在2025年量產2nm，而Rapidus位於北海道千歲市的2nm晶片研發/生產據點千歲工廠「IIM-1（第1棟廠房）」已於9月動工，試產產線計畫在2025年4月啟用、2027年開始進行量產。

Rapidus設立於2022年8月，由豐田（Toyota）、Sony、NTT、NEC、軟銀（Softbank）、Denso、NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等8家日企共同出資設立。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）