日經：中國半導體實力進步，僅落後台積電三年

據日經新聞指出，日本專業拆解公司分析拆解報告表示，中國半導體實力進步，已逼近到僅落後台積電三年，美國的管制措施僅稍微拖慢中國的技術革新，但卻刺激了中國半導體產業的自家生產腳步。

日經新聞26日報導，每年拆解約100項電子機器產品的半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治表示，中國半導體實力進步，已逼近到僅落後台積電3年的水準。清水洋治以4月開賣華為最新智慧手機Pura 70 Pro處理器（AP）KIRIN 9010和2021年華為高性能智慧手機用AP「KIRIN 9000」為例，KIRIN 9010由華為旗下海思半導體設計、中國晶圓代工大廠中芯採用7奈米量產，KIRIN 9000由海思半導體設計、台積電2021年時以5奈米量產。

一般來說，電路線幅變細的話，半導體處理性能就會變高、晶片面積變小，清水洋治指出，中芯採用7奈米量產的晶片面積為118.4平方公釐，和台積電5奈米晶片面積（107.8平方公釐）差距不大，不過處理性能卻幾乎相同。清水洋治表示，雙方良率雖有落差，但光從出貨晶片性能看，中芯實力逼近到僅落後台積電三年，中芯7奈米卻能達台積電5奈米同等性能，顯示海思半導體設計能力更揚升。

除了記憶體、感測器，Pura 70 Pro合計搭載37個主要半導體產品，海思半導體負責14個、其他中國廠商負責18個，非中國製產品僅DRAM（SK海力士）、運動感測器（Bosch）等五個，也就是說，高達86%半導體為中國製。

中國能生產如此廣泛的半導體產品，清水洋治認為，「這代表美國管制對象實質僅限AI等用途的伺服器先進半導體。只要不構成軍事威脅，（美國）就會容許。」清水洋治總結：「美國政府的管制措施，只是稍微拖慢中國技術，卻刺激中國半導體產業生產腳步。」

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）