力積電今日宣布,AMD 等美、日大廠將以力積電 Logic-DRAM 多層晶圓堆疊技術,結合一線晶圓代工廠的先進邏輯製程,開發高頻寬、高容量、低功耗的 3D AI 晶片,為大型語言模型 AI 應用及 AI PC 提供低成本、高效能的解決方案。
同時針對 GPU 與 HBM 需求,力積電推出的高密度電容 IPD 的 2.5D Interposer(中介層),也通過國際大廠認證,將在銅鑼新廠導入量產。
力積電與工研院合作開發全球首款專為生成式 AI 應用所設計的 3D AI 晶片,甫拿下 2024 World R&D100 AI 晶片大獎,同時於今年 SEMICON Taiwan 大展發表 3D 晶圓堆疊的 Logic-DRAM 晶片製程技術,以此創新製程生產的 3D AI 晶片,應用在人工智慧推論 (Inference) 系統,已展現資料傳輸頻寬是傳統 AI 晶片 10 倍、功耗僅七分之一的優異效能。
力積電近年大力研發的 3D 晶圓堆疊 Logic-DRAM 晶片製程技術,目前已和 AMD、日本 GPU 晶片設計業者及多家國際系統大廠聯手,以力積電 Logic-DRAM 多層晶圓堆疊技術,與一線晶圓代工大廠先進邏輯製程合作開發新型 3D AI 晶片,發揮 3D 晶圓堆疊的優勢。
根據不同客戶的 AI 晶片設計需求,力積電表示,透過合作夥伴愛普公司設計客製化 DRAM 晶片,再加上 Logic-DRAM 多層晶圓堆疊技術,與現有採用 HBM 的 2.5D AI 晶片架構相較,新款 3D AI 晶片能在相同單位面積提供高達 100 倍傳輸頻寬、龐大記憶體容量。
另外,為支援 GPU 與 HBM2E、HBM3 的傳輸,力積電根據客戶需求開發的 2.5D Interposer 搭配高密度電容 IPD 產品,已通過國際大廠的認證,目前該公司正積極在銅鑼新廠佈建生產線,以因應客戶需求加速導入量產。
(首圖來源:科技新報)