韓國朝鮮日報的報導，有分析指出，中國最大的記憶體公司長江存儲（YMTC）儘管受到美國的半導體禁令制裁，但仍在使用中國本身的設備來改良晶片生產技術。在中國政府和長江存儲等國內大客戶的大力支持下，中國裝備製造商正冒著生命危險，縮小與國外裝備的技術差距。
報導引用根據市場研究公司 Tech Insight 在 19 日的報告表示，長江存儲最近透過升級其 Xtacking 技術（該技術是將儲存單元逐層進行堆疊）來提高 NAND Flash 快閃記憶體的效能。Tech Insights 表示，分析長江存儲的全新 4.0 技術產品後發現，即使是與 QLC NAND Flash 相較，其產品仍非常先進。
Tech Insights 進一步指出，因為美國的制裁而不得不繞道使用中國半導體設備的長江存儲，似乎透過新的 X-tacking 4.0 技術找到方法。而目前長江存儲正在使用中國製造設備，其中就包括了 AMEC、Nowra 和 Piotech 的產品。
報導也引用一位韓國半導體設備市場人士的說法表示，長江存儲在蝕刻和曝光製程仍依賴美國和日本設備，但其他製程使用更多中國本土設備。是自 2022 年 12 月，長江存儲列入美國出口管制清單無法進口最新半導體製造設備，也無法取得部分維修服務的替代方案。
韓國產業官員表示，中國製造設備企業在注重提高技術的同時，也擴大對中國境內半導體廠商的設備供應。從生產良率來看，中國設備尚未達到業界標準。例如，長江存儲採用中國設備生產的 X-tacking 4.0 記憶體，其層數比上一代技術製造的 232 層減少了 70 層。對此，Tech Insight 分析指出，由於中國設備良率較低，長江存儲不得不減少 NAND Flash 的堆疊層數。不過，隨著設備從國外供應，變成由中國供應的變化，良率問題雖然仍會出現，但是，在技術改良和成熟下，這個問題將會逐漸得到改善。
報導強調，為了開發半導體自給自足所必需的設備，中國政府正在大規模發展半導體設備產業。本月，中國工業和資訊化部建議國有企業使用解析度為 65 奈米或更高的新型中國曝光設備。同時，該官方單位還公布了新的主要技術裝備清單，並表示中國的兩種深紫外線（DUV）曝光設備取得了重要的技術技展。
據了解，中國研發的 DUV 設備性能，當前還達不到全球市場需要的頂尖半導體製造需球性能，但仍舊比過去有所提升。日前中國智慧財產局公開半導體裝備企業上海微電子（SMEE）的極紫外線（EUV）曝光設備專利申請，顯示中國半導體業還是有進展。
(首圖來源：長江存儲)
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