有報導稱，中國晶片技術實力僅落後台積電三年，台灣國家科學委員會主任吳政文認為，雙方技術落差應是十年以上，尤其台積電先進製程將進到 2 奈米，中國同業只能勉強生產 7 奈米晶片。
日媒報導，日本半導體調查企業拆解華為手機後表示，中國半導體技術僅落後台積電三年。被問到此事時，吳誠文回應持懷疑態度，認為雙方差距仍大，很可能超過十年，尤其是台積電持續開發先進製程。
華為最新 Mate XT Ultimate 智慧型手機採用華為麒麟 9010 系列處理器，推測由中芯國際使用第二代 7 奈米製程製造，效能與電晶體密度可媲美台積電 N7。
台積電 2018 年開始 N7，中芯國際第二代 7 奈米 2023 年量產，推算中芯國際落後五年和兩個製程（5 / 3 奈米）。但台積電 2019~2020 年開始 N7+ 和 N5 製程使用 EUV 曝光，功耗、性能和面積指標都更有優勢。
如果沒有 EUV 設備，要實現類似的 PPA 將非常困難，中芯國際如何五年內開發一個或兩個製程，如 5 奈米和 3 奈米製程，仍是一大問題。雖然業界專家認為這有可能，但台積電 2030 年前將有 2 奈米、1.6 奈米及 1.4 奈米製程，仍會領先。
此外，美國禁止 ASML 出口 EUV 設備給中國，因此中國很可能轉而開發第三代 7 奈米技術，目前很難確定中國半導體進程和規模的位置，但中國一直積極推動半導體本土化，並投入大量資源成為傳統製程的強國。
（首圖來源：台積電）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
