韓媒：三星傳加購最新型 High-NA EUV，投資金額逾 1 兆韓圜

根據韓國經濟新聞報導，三星電子將在 2026 上半年投資約 1.1 兆韓圜（約新台幣 242 億元），導入荷蘭 ASML 最新一代 High-NA EUV 兩台。據了解，第一台將於今年底前交付，第二台將於明年上半年追加導入。

目前三星已在華城（Hwaseong）園區設有一台研發用 High-NA EUV（EXE:5000），主要用於驗證線寬縮小與光學對焦精度的穩定性。此次預計採購的新型 EXE:5200B，相較前一代 EXE:5000（NA 0.33），將數值孔徑（NA）提升至 0.55，解析度提升約 1.7 倍，可在相同晶圓面積上刻畫更高密度的電路結構，有望進一步提高量產效率與產品良率。

值得注意的是，三星預計於 2025 年啟動 2 奈米製程量產，並在 2027 年導入 1.4 奈米節點。在此過程中，High-NA EUV 可望成為縮小線寬與提升良率的核心技術支撐，對其製程競爭力具有關鍵影響。

隨著 High-NA EUV 的導入，三星可望同步推進高密度 DRAM（1c）與先進邏輯晶片的量產，顯示其加速邁向次世代製程節點的決心。不過，業界也指出，每台 High-NA EUV 價格高達約 5,500 億韓圜（約新台幣 121 億元），將對公司年度資本支出帶來不小壓力。導入能否轉化為即時效益，仍有賴後續良率與市場需求表現。

反觀台積電，目前則尚未將 High-NA EUV 納入 1.4 奈米製程規劃。