Tag Archives: High-NA EUV

ASML 第一季營收與訂單金額均下滑，引發半導體市場衰退憂慮
作者 |發布日期 2025 年 04 月 16 日 15:40 |
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分類 半導體 , 材料、設備 , 財報

全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾 (ASML) 發布 2025 年第一季財報，第一季銷售淨額 (net sales) 為 77億歐元，淨收入為 (net income) 24 億歐元，毛利率 (gross margin) 為 54%，第一季訂單金額為 39 億歐元，其中 12 億歐元為 EUV 訂單。

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財務狀況吃緊，英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年
作者 |發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，市場需求允許下加速建設。

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英特爾領先業界啟用 High-NA EUV，至今處理超過 3 萬片晶圓
作者 |發布日期 2025 年 02 月 27 日 10:50 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

路透社報導，處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露，開始用兩台艾司摩爾（ASML）High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示，奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV，至今處理達 3 萬片晶圓。

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AI 晶片需求快速成長，推動台積電積極部署與發展 High-NA EUV 製程
作者 |發布日期 2024 年 11 月 18 日 16:45 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

媒體報導，先前市場消息指出，台積電已經於 2024 年 9 月份從荷蘭半導體設備商艾司摩爾 (ASML) 接收首套高數值孔徑 (High-NA) 極紫外線 (EUV) 曝光機-EXE:5000。這代表著台積電對這項先進半導體技術不斷變化的立場，從一開始持謹慎，到後來全面發展採用，為的就是保持其在競爭激烈的半導體產業中維持領先地位，也因應 AI 晶片對先進製程需求的快速成長。

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台積電本月引進 High-NA EUV 曝光機，韓媒指三星落後加大
作者 |發布日期 2024 年 09 月 11 日 13:10 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

韓國媒體 BusinessKorea 引述台灣媒體的報導指出，晶圓代工龍頭台積電將於 9 月底從荷蘭 ASML 公司接收第一套 High-NA EUV 曝光機──EXE:5000，這對對於全球領先台積電來說是一個重要的里程碑，但是對競爭對手三星來說，無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。

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台積電搶先三星收到 High-NA EUV，ASML 還給折扣
作者 |發布日期 2024 年 09 月 10 日 10:40 |
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分類 半導體 , 材料、設備

進入 2 奈米以下埃米時代後，ASML 高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV) 曝光機就成為先進製程半導體廠的關鍵。英特爾 4 月宣佈業界首套 High-NA EUV 組裝完成後，台積電月底也會引進首套 High-NA EUV，較外界猜測年底提前一季，也超車很想搶在台積電前面的三星。

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High-NA EUV 競爭時代來臨，三星力拚比台積電早到貨
作者 |發布日期 2024 年 08 月 16 日 13:10 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

月初英特爾執行長 Pat Gelsinger 於 2024 年第二季財報會議透露，美國俄勒岡州半導體研發基地即將迎接第二套 High-NA EUV 進駐，很快就會入廠。這是 2023 年底 ASML 交貨英特爾第一套 High-NA EUV、今年 4 月組裝完成後，英特爾購入的第二套 High-NA EUV。

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ASML 第二台 High-NA 設備，即將導入英特爾奧勒岡廠
作者 |發布日期 2024 年 08 月 06 日 10:11 |
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分類 半導體 , 材料、設備

英特爾正接收 ASML 第二台耗資 3.5 億歐元（約 3.83 億美元）的新 High NA EUV 設備。根據英特爾 8/1 財報電話會議紀錄，執行長 Pat Gelsinger 表示，英特爾 12 月開始接收第一台大型設備，安裝時間需要數月，預計可帶來新一代更強大的電腦晶片。 繼續閱讀..