紀念性一刻！ASML 最新 High-NA EUV，成功印首條 10 奈米密集線 |
作者
林 妤柔|發布日期
2024 年 04 月 18 日 16:28 |
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ASML 宣布首款 0.55 數值孔徑（High-NA）EUV 曝光設備已列印出第一個圖案。最新貼文，High-NA EUV 系統成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines）。 繼續閱讀..
ASML：Hyper-NA EUV 為半導體下個十年重要變化，但關鍵在成本 |
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作者
Atkinson|發布日期
2024 年 02 月 17 日 15:20 |
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縮小晶片的電晶體尺寸，這對於晶片性能的持續發展至關重要。因此，半導體產業正在研究各種方法來縮小電晶體的尺寸。未來幾年，晶片製造商將採用 ASML 最新的 High-NA EUV 微影曝光設備，藉以進行 3 奈米後製造節點的技術發展。但接下來呢？ ASML 表示，目前正在發展 Hyper-NA，並尋找尚未定義的新工具，這些工具將在 2030 年之際開始獲得採用，為未來的晶片生產技術提供動力。
英特爾年底接收業界首套 High-NA EUV 微影曝光設備 |
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作者
Atkinson|發布日期
2023 年 10 月 03 日 8:30 |
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英特爾 (Intel) 上週宣布，投資 185 億美元的愛爾蘭 Fab 34 晶圓廠以 EUV 微影曝光設備量產，是英特爾晶片製造的重要里程碑。
ASML 依計畫年底推出首款 High NA EUV 微影曝光設備 |
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作者
Atkinson|發布日期
2023 年 09 月 06 日 15:40 |
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路透社報導，荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾 (ASML) 執行長 Peter Wennink 表示，儘管有些供應商阻礙，但年底將照計畫，推出下一世代產品線首款產品。
imec 與 ASML 簽定備忘錄，強化 high-NA EUV 合作 |
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作者
Atkinson|發布日期
2023 年 06 月 30 日 13:45 |
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比利時微電子研究中心（imec）及艾司摩爾（ASML）今日宣布，開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化合作。
