華為手機處理器受困 7 奈米，與競爭對手差了三代

外媒報導，華為即將於2025年下半年推出新一代旗艦智慧型手機「Mate 80」，但其核心「行動處理器」（AP）的量產製程傳出受阻，恐將採用 7 奈米製程技術，而非先前預期的 5 奈米製程的情況。

市場分析認為，由於美國對半導體先進設備（特別是EUV極紫外光曝光機）實施出口管制，華為與其主要代工夥伴中芯國際（SMIC）在開發先進製程方面遇到了瓶頸，導致5奈米量產出現了差池。

當前，智慧型手機的人工智慧（AI）功能日益複雜與高階化，驅動這些功能的 AP 需要最先進的製程來最大化電力效率和性能。AP 是晶圓代工廠最先應用尖端製程的產品類別之一。然而，中國因美國的限制，無法進口用於先進製程的半導體設備，例如EUV曝光機。

儘管華為透過與中國最大晶圓代工廠中芯國際(SMIC)合作，試圖尋求替代方案，並使用EUV的前一代設備的深紫外光（DUV）曝光機，透過重複曝光來量產7奈米以下的AI晶片，但業界普遍認為，此類方法生產的晶片良率和性能與競爭對手相比仍較為低落。

市場曾預期中芯國際已開發出5奈米製程，並將用於華為下一代AP的量產。不過，現在傳出5奈米製程的量產計畫受阻，華為據傳將轉而利用已用於生產舊款AP的7奈米製程來生產即將搭載於Mate 80的「麒麟9030」（Kirin 9030）晶片。而且，為了彌補製程上的不足，華為的策略是透過優化手機設計與製程本身，預期能使麒麟9030的整體性能指標較前一代提升約20%。

報導指出，華為已在中國深圳建設了先進生產線，目的在透過7奈米製程量產自家的AI半導體和AP，這是其試圖自主生產先進半導體的嘗試。然而，即使有設計上的提升，製程技術的差距依然明顯。根據基準性能指標顯示，由中芯國際7奈米製程生產的「麒麟9000s」晶片，其性能水準與高通（Qualcomm）三年前Snapdragon系列晶片相類似。

業界關係人士指出，雖然華為正透過大幅改善設計和製程來提高晶片性能，但與高通和蘋果設計的AP相比，仍存在約三年的技術水準差距。當前，全球智慧型手機領導廠商如蘋果、三星、小米等，已在其高端產品中搭載採用3奈米製程的AP。此外，蘋果和三星電子預計將在下半年開始量產採用2奈米製程的AP。

市場分析師指出，由於難以在AP製造上應用尖端製程，華為智慧型手機的性能可能會持續落後於競爭對手。一位半導體業內人士警告，隨著美國對中國的半導體管制日益嚴格，如果華為在5奈米製程量產上持續遭遇困難，其智慧型手機的性能差距可能會進一步擴大。這對華為的硬體競爭力構成了嚴峻的挑戰。

(首圖來源：科技新報攝)