高中畢業前請確定已接軌先進製程？EUV 極紫外光現身學測自然科考題

115 年大學學測今日登場，首日的自然科考題意外引發熱議，因為第 47 至 49 題的題組中，考題背景直接帶進半導體先進製程的核心技術，13.5 奈米的 EUV（極紫外光）微影。

這組題目先從物理課本熟悉的原子能階出發，要求學生判斷不同能階躍遷會放出何種波長的光，接著引導至晶片製程常見的紫外光（365 nm）與先進製程使用的 EUV 光源，並明確指出 EUV 波長為 13.5 nm，這正是目前先進晶片製程的關鍵規格。

不只如此，考題還進一步描述 EUV 在實際製程中無法像可見光一樣透過透鏡聚焦，而是必須仰賴多層反射鏡來匯聚與導引光線，並搭配示意圖說明反射鏡內部由「快波速介質」與「慢波速介質」交錯組成，利用多層薄膜產生建設性干涉，來提升 EUV 的反射效率。

換句話說，考生不只是算一道光子能量的題目，還得理解為什麼 EUV 微影一定要用反射鏡、為什麼反射效率這麼重要，甚至要畫出在正確相位下，電場如何疊加才能讓反射光最強。

（Source：大學入學考試中心）

有人認為，這類題目正好反映近年學測素養導向的出題方向，考試內容不再只測記憶與套公式，而是評量學生能否將基礎科學，連結到真實世界的重大科技應用；而半導體產業本就是台灣最具代表性的科技領域，自然成為命題素材之一。

對多數考生而言，這或許只是一道難度偏高的自然科題組；但對旁觀者來說，卻是一個有趣的現象，原本存在於新聞、產業分析與科技論壇裡的 EUV 極紫外光，竟然就這樣走進了高中生的考卷。

學測首日就考 EUV，某種程度上也像是一堂「物理課與科技現場同步更新」的即時示範。至於考生算對多少，得等成績公布才知道；但可以確定的是，半導體已經不只是產業關鍵字，也正式成為高中自然科的一部分。

（首圖來源：台積電）