Tag Archives: EUV

艾司摩爾 2021 年首季營收 44 億歐元達標,全年營收預估成長 30%

作者 |發布日期 2021 年 04 月 21 日 15:10 | 分類 國際貿易 , 材料、設備 , 財報

在當前全面臨晶片花的情況下,全球半導體微影技術大廠艾司摩爾 (ASML) 台北時間 21 日發佈 2021 年第 1 季,2021 年第 1 季銷售淨額 (net sales) 為 44 億歐元,淨收入 (net income) 為 13 億歐元,毛利率 (gross margin) 為 53.9%,新增訂單金額 47 億歐元。另外,針對 2021 年第 2 季展望,艾司摩爾預估淨收入約落在 40 億到 41 億歐元間,毛利率約 49%。

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晶片荒下艾司摩爾將公布首季財報,美國收緊出口中國成發展關鍵

作者 |發布日期 2021 年 04 月 21 日 8:30 | 分類 材料、設備 , 財報 , 財經

上週晶圓代工龍頭台積電宣布 2021 年度資本支出推升至史上新高的 300 億美元,市場預估半導體設備廠未來都能受惠,投資人也都將眼光放到接下來的設備廠財報。全球最大半導體設備供應商艾司摩爾 (ASML) 預計美國時間 21 日公布首季財報,目前全球面臨晶片缺乏,艾司摩爾財報能透露什麼訊息,牽動全球半導體市場,投資人都引頸期待。

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南亞科斥資 3 千億元新北市興建新晶圓廠,完成後每月增加 4.5 萬片

作者 |發布日期 2021 年 04 月 20 日 12:15 | 分類 公司治理 , 記憶體 , 財經

國內 DRAM 記憶體大廠南亞科技 20 日宣布,將斥資新台幣 3,000 億元,於新北市興建新晶圓廠。預計 2021 年底動土之後,2023 年正式建廠完成,2024 年開始進行第一階段量產,全部完工之後將可提供每月 45,000 片晶圓的產能,並增加 2,000 個優質的就業機會。

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美國恐進一步限制 DUV 出口中國,三星與 SK 海力士憂受衝擊

作者 |發布日期 2021 年 04 月 13 日 17:50 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 材料、設備

針對全球性的晶片缺貨問題,美國拜登政府才在 14 日邀集包括美國歐半導體設備大廠,汽車製造廠商、台灣台積電與南韓三星等重量級晶圓代工廠共同參加會議,以討論解決由美國所主導的半導體供應鏈失衡的情況。而在此同時,南韓媒體報導,面對中國積極發展半導體產業的態度,美國政府恐怕不僅將禁止極紫外光(EUV)曝光機的出口到中國,恐怕連浸潤式 ArF 深紫外光(DUV)曝光設備都將被列入禁止出口中國品項。

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ASML:摩爾定律沒有減速或失效,還將持續 10 年或更久時間

作者 |發布日期 2021 年 03 月 29 日 17:40 | 分類 晶圓 , 材料、設備 , 零組件

眾所周知,荷蘭商艾司摩爾(ASML)曝光機一直是半導體製造的關鍵設備,尤其獨家生產的極紫外光曝光機(EUV)更是不可或缺,也是協助台積電、三星、英特爾能往先進製程發展的重要設備,美國限制中國無法取得 EUV,使中國半導體發展始終落後其他國家。

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先進製程競賽火熱,設備供應鏈誰得利?

作者 |發布日期 2021 年 03 月 25 日 10:20 | 分類 公司治理 , 晶圓 , 材料、設備

英特爾(Intel)23 日祭出重磅消息,將重啟晶圓代工業務,同時也宣告將砸 200 億美元在美國建置兩座新廠,突顯美國推動半導體本土製造勢在必行。法人表示,英特爾、台積電、三星在先進製程的競賽更火熱,將帶旺相關設備供應鏈業績,尤其 7 奈米以下製程必備的極紫外光(EUV)微影設備出貨看升,預期 EUV 供應鏈感受將最為顯著,幫設備大廠應用材料(Applied Materials)代工的台廠也有機會得利。 繼續閱讀..

擔心搶不贏台積電,SK 海力士與 ASML 簽訂 43.4 億美元 EUV 供應合約

作者 |發布日期 2021 年 02 月 25 日 11:30 | 分類 國際貿易 , 材料、設備 , 記憶體

據《路透社》報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士於台北時間 24 日表示,已與全球曝光設備生產大廠 ASML 簽訂為期 5 年,價值 4.8 兆韓圜(約 43.4 億美元)採購合約。市場人士指出,SK 海力士與 ASML 簽訂合約的主要目的,是確保記憶體製造過程採購到足夠 EUV 極紫外線曝光設備。

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分析機構曝光三星開發 1z 奈米 EUV 製程 DRAM 規格祕辛

作者 |發布日期 2021 年 02 月 20 日 15:20 | 分類 Samsung , 材料、設備 , 記憶體

南韓三星近期積極將極紫外(EUV)曝光技術應用於採用 1z 奈米製程的 DRAM 記憶體生產,並完成量產。據半導體分析機構《TechInsights》拆解分別採用 EUV 技術和 ArF-i 技術的三星 1z 奈米製程 DRAM 後,發現 EUV 技術除了提升三星生產效率,還縮小 DRAM 的節點設計尺寸,另外還比較三星與美光 1z 奈米製程 DRAM,採用 EUV 技術的三星 DRAM 核心尺寸(Cell Size)同樣較小。

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隨台積電布局先進製程,光罩盒廠家登斥資 9.1 億元購買土地擴產

作者 |發布日期 2021 年 02 月 18 日 17:10 | 分類 公司治理 , 晶圓 , 材料、設備

在晶圓代工龍頭台積電全力衝刺先進製程,並因此規劃有史以來最高資本支出金額之後,EUV 光罩盒重要供應商的家登,也跟隨腳步,積極布局產能,18 日透過重大訊息公布,將斥資逾新台幣 9.1 億元取得新北市土城區土地不動產約 1,626 坪,興建廠辦,並預計近日舉行破土開工典禮。

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