Tag Archives: EUV

拿下業界第一！英特爾下週公開 High-NA EUV 應用最新進度與成果
作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 13:00 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

台積電、三星、英特爾三家先進製程展開激烈競爭，台積電雖然市占率持續領先，有許多大客戶訂單，但曾是全球半導體技術龍頭的英特爾也繼續追趕，不但日前公布「四年五節點」後的 Intel 14A，更領先其他競爭對手，優先取得 ASML 高數值孔徑極紫外光曝光機（High-NA EUV），精進先進製程。英特爾下週將舉行說明會，公布應用規劃。

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台積電產能大致恢復正常，但受損情況預估逾 6,000 萬美元
作者 |發布日期 2024 年 04 月 06 日 10:40 |
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分類 GPU , 公司治理 , 半導體

台灣在經歷 0403 花蓮強震之後，台積電發出聲明指出，其關鍵極紫外曝光設備 (EUV) 「安全無虞」，而且在 4 月 3 日大地震的 10 小時之後，產能恢復到了 70% 或 80%。然而，地震及其餘震並沒有讓生產設施完全毫髮無損。根據市場消息，地震中斷和造成的損失將使台積電損失約 6,200 萬美元。其中，雖然 EUV 機器沒有損壞，但工廠的橫梁、柱子、牆壁和管道在地震中遭到損壞。但對此，台積電方面並沒有確認。

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華為與中芯國際聯手，以多重圖案化開發 5 奈米製程
作者 |發布日期 2024 年 03 月 25 日 10:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

彭博社報導，華為和中芯國際（SMIC）送交名為自對準多重圖案化（SAQP）晶片專利，目標生產 5 奈米等級晶片，不過同樣方法過去英特爾第一代 10 奈米製程曾經失敗。因華為和中芯國際礙於美國限制無法獲最先進半導體設備，如極紫外光曝光設備 (EUV)，別無選擇只能改用多重圖案化。

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佳能奈米壓印設備最快 2024 年出貨，能否解套中國引關注
作者 |發布日期 2024 年 02 月 05 日 7:00 |
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分類 半導體 , 材料、設備

2023 年 10 月，日本曝光機大廠佳能（Canon）公布採用奈米壓印技術（NIL）的曝光設備 FPA-1200NZ2C，預計為小型半導體製造商在生產先進晶片開闢了一條新的途徑。近日，佳能負責新型曝光機開發的高層武石洋明接受了媒體的採訪表示，FPA-1200NZ2C 會在 2024 年至 2025 年間出貨。

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Rapidus 2 奈米廠工程順利，將按計畫於 2025 年 4 月試產
作者 |發布日期 2024 年 01 月 23 日 11:15 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 晶片

目標將次世代半導體（晶片）國產化、由日本官民合作設立的半導體研發 / 製造 / 銷售公司 Rapidus 位於北海道千歲市的 2 奈米（nm）晶片工廠興建工程順利，試產產線將按計畫在 2025 年 4 月啟用，Rapidus 並在千歲市開設做為聯絡窗口的事務所。 繼續閱讀..

產線增不停！台積電 2 奈米未演先轟動、有爆發性需求
作者 |發布日期 2024 年 01 月 19 日 10:40 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶圓

台積電在 18 日法說會宣布，2 奈米市場需求強勁，原規劃兩座廠的高雄園區，將再增加一座廠。新竹寶山原是 2 奈米廠規劃地點，高雄再增加一廠，中科土地也規劃為 2 奈米廠，可看出未量產的台積電 2 奈米製程受市場青睞的程度，也證明台積電對 2 奈米製程的信心。

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