韓國媒體 TheElec 報導,與三星 3 奈米相較,2025 年量產 2 奈米會多 30% 極紫外光(EUV)曝光層。
三星估 2 奈米比 3 奈米多 30% EUV 曝光層 |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 07 月 21 日 9:30 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 |
ASML 預定 2030 年供應 Hyper-NA EUV,能否商業化關鍵就是成本 |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 06 月 14 日 15:30 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit |
荷蘭商艾司摩爾 (ASML) EUV 曝光機為先進半導體生產關鍵,ASML 有序執行藍圖,首階段是標準 EUV 後迎接 High-NA EUV,去年底 ASML 就交貨英特爾首套 High-NA EUV。ASML 上週又證實,年底交貨台積電 High-NA EUV。半導體業剛準備邁入 High-NA EUV 時代,ASML 又開始研究下代機台 Hyper-NA EUV,尋找合適解決方案。