Navitas 推 10kW 全 GaN DC-DC 平台，瞄準 AI 資料中心 HVDC 電源架構

功率半導體業者 Navitas Semiconductor 宣布推出 10kW 全 GaN DC-DC 電源平台，峰值效率達 98.5%、開關頻率達 1MHz，並在全磚尺寸封裝中實現 2.1 kW/in³ 的功率密度，鎖定新一代 AI 資料中心朝向 800V 高壓直流（HVDC）架構的電力需求。

該平台採用 650V 與 100V GaNFast FET，結合三級半橋架構與同步整流設計，在滿載條件下仍可維持 98.1% 轉換效率，並支援 800V-to-50V 與 ±400V-to-50V 的 10kW 電源轉換。Navitas 同時整合輔助電源與控制功能，以降低系統導入複雜度，協助資料中心建構高功率密度電源模組。

隨著 AI 訓練與推論算力快速攀升，單一機櫃功率需求正由過去數十 kW 提升至百 kW 等級，產業也逐步由傳統 AC 配電與 48V 架構，轉向 400V 與 800V HVDC 方案，以降低電流損耗並提升整體供電效率。在此趨勢下，高頻、高效率且高功率密度的 DC-DC 轉換技術，成為支撐 AI 基礎設施擴張的關鍵。

Navitas 表示，AI 工作負載未來每次查詢所需運算量可能成長數百倍甚至千倍，資料中心電力系統因此必須同步升級。此次 10kW 全 GaN 電源平台，旨在透過更高效率與更佳散熱表現，協助系統在維持功率密度提升的同時降低能耗，推動 HVDC 架構落地。

目前該平台已由多家資料中心客戶進行評估，並預計於 3 月下旬在美國 APEC 電力電子展首度公開展示。隨著 AI 基礎設施持續擴建，GaN 與 SiC 等寬能隙功率半導體技術，正加速切入資料中心核心電源架構，成為下一波電力效率競爭的重要支點。