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台積電代工,Navitas 氮化鎵晶片讓電動車充電時間僅剩三分之一

作者 |發布日期 2022 年 02 月 09 日 10:20 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

第三類半導體因耐高壓、耐高溫特性,最常見就是用在設備充電,未來也預期會有更多樣化用途。委托晶圓代工龍頭台積電生產、超快速手機充電器製造公司 Navitas Semiconductor 表示,電動車將是下個大賭注,如果 Navitas 能藉自家技術,可讓電動車充電時間剩三分之一,或電動車續航里程增近 30%,或電池尺寸減少 30%。Navitas 預計 2025 年產品商品化。

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拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片

作者 |發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限,採用氮化鎵(GaN)晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案,GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦,中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片,分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A,4 款晶片耐壓皆可達 650V,封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..