台積電淡出氮化鎵業務,客戶轉單受惠力積電 |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 03 日 7:30 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 |
Tag Archives: Navitas
納微打入 NVIDIA 供應鏈!高壓直流架構有望成 AI 資料中心趨勢 |
作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 05 月 22 日 11:11 | 分類 AI 人工智慧 |
納微半導體宣佈與 NVIDIA 合作開發新一代 800 V 高壓直流(HVDC)電力架構,將支援包括 Rubin Ultra 在內 GPU 的機架級系統供電。消息一出,納微半導體週三(21 日)盤後股價飆漲逾 180%。 繼續閱讀..
為 NVIDIA 資料中心開發新電源架構,納微半導體盤後飆 200% |
作者 黃 嬿|發布日期 2025 年 05 月 22 日 10:28 | 分類 AI 人工智慧 , 財經 |
AI 資料中心已經成為全球科技基礎建設,美國成為這波工業革命的核心,最近在沙烏地阿拉伯的大陣仗就看出 AI 技術攻勢的力道。同時也帶動整個供應鏈崛起,包括第三類半導體大廠納微半導體 (Navitas Semiconductor) 因打入 Nvidia 供應鏈,美股盤後股價一度飆漲 200%。 繼續閱讀..

拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
作者 拓墣產研|發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 |
以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限,採用氮化鎵(GaN)晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案,GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦,中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片,分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A,4 款晶片耐壓皆可達 650V,封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..