拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片

以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。