Tag Archives: 氮化鎵

黃袍加身 Navitas 攜手輝達 MGX 平台、股價飆

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 06 月 04 日 14:20 |

分類 AI 人工智慧 , Nvidia , 半導體

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）高調展示與AI晶片龍頭輝達（Nvidia Corp.）的深度合作夥伴關係，股價應聲飆高。繼續閱讀..

環球晶第一季 EPS 3.97 元，確定產業春燕到規劃下半年調漲價格

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 05 月 05 日 21:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 財報

矽晶圓大廠環球晶圓 5 日召開線上法說會，公布 2026 年第一季財報並釋出最新營運展望。董事長徐秀蘭表示，第一季已確定為本波半導體週期的底部，在全球 AI 與非 AI 應用需求同步回溫的帶動下，整體產業復甦力道與全面性皆優於原先預期。

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美國再攔胡，CFIUS 以國安疑慮否決三安光電 2.39 億美元收購 Lumileds

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2026 年 04 月 21 日 9:10 |

分類光電科技 , 半導體 , 國際觀察

美國政府 20 日宣布，阻止中國最大 LED 晶片製造商三安光電以 2.39 億美元收購荷蘭照明公司 Lumileds 的企圖。根據《南華早報》報導，這個決定是由美國外國投資委員會（CFIUS）做出，理由是該交易可能對美國國家安全構成「無法解決的風險」。這是十年內第二次 CFIUS 阻止中國收購 Lumileds，並且正值三安光電自身面臨治理危機之際。繼續閱讀..

GaN 功率晶片商 Navitas 營收展望超優、股價飆 19%

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 02 月 26 日 14:10 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 財報

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）抓住新崛起的 AI 資料中心商機，本季營收展望有望呈現季增，股價應聲飆高。繼續閱讀..

恩智浦淡出射頻氮化鎵，關閉亞利桑那州錢德勒晶圓廠

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 12 月 15 日 14:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 財經

根據外媒報導，荷蘭半導體大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors Inc.）於上週正式宣布一項重大戰略調整，計劃停止其射頻功率（radio power）產品線的生產，並預計在2027年之前關閉其位於亞利桑那州錢德勒（Chandler）的射頻氮化鎵（RF GaN）晶圓廠。

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格羅方德與台積電簽署氮化鎵生產技術授權協議

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 11 月 11 日 8:00 |

分類半導體 , 晶片 , 財經

晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）日前宣布與台積電簽署一項技術授權協議，將引進其 650V 和 80V 氮化鎵（GaN）技術，藉以強化格羅方德在電源應用領域的佈局，特別鎖定資料中心、工業以及汽車等高功率市場。

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氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析

作者拓墣產研|發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 |

分類技術分析 , 會員專區 , 汽車科技

新能源車追求高效與輕量化，推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料，GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度，650V 以下電壓平台具優勢，可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢，部分車廠開始導入相關產品，相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟，GaN 的 650V 以下市場成為新興選項，若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良，未來產業有望形成「高壓用 SiC，中低壓用 GaN」互補格局。繼續閱讀..

Navitas 與輝達開發的電源晶片有進展、股價飛天

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 10 月 15 日 16:00 |

分類半導體 , 財經 , 零組件

第三代半導體氮化鎵（GaN）功率 IC 領導大廠納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布，與輝達（Nvidia）合作開發的 AI 基礎建設電源晶片取得進展，股價聞訊飆高。繼續閱讀..

imec 攜手夥伴研究 12 吋氮化鎵，降低先進功率元件成本

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 10 月 08 日 9:15 |

分類半導體 , 晶圓 , 材料、設備

比利時微電子研究中心（imec）攜手愛思強（AIXTRON）、格羅方德（GlobalFoundries）、美商科磊（KLA）、新思科技（Synopsys）與威科儀器（Veeco）成為其 12 吋氮化鎵（GaN）開放創新研究方向的首批研究夥伴，鎖定低壓與高壓功率電子元件應用。

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台積電鎖定 12 吋碳化矽新戰場，布局 AI 時代散熱關鍵材料

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 17 日 16:40 |

分類半導體 , 封裝測試 , 晶圓

全球半導體產業邁入人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）驅動的新時代，散熱管理正逐漸成為影響晶片設計與製程能否突破的核心瓶頸。當3D堆疊、2.5D整合等先進封裝架構持續推升晶片密度與功耗，傳統陶瓷基板已難以滿足熱通量需求。晶圓代工龍頭台積電正以一項大膽的材料轉向回應這一挑戰，那就是全面擁抱12吋碳化矽（SiC）單晶基板，並逐步退出氮化鎵（GaN）業務。此舉不僅象徵台積電在材料戰略 recalibration，更顯示散熱管理已經從「輔助技術」升格為「競爭優勢」的關鍵。

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