Tag Archives: 英諾賽科

美國國際貿易委員會裁定，英飛凌提告英諾賽科專利侵權案勝訴
作者 |發布日期 2025 年 12 月 06 日 14:00 |
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分類 市場動態 , 晶圓 , 材料、設備

美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利（註 1）。初步判決，美國國際貿易委員會也確認了英飛凌本案訴訟主張的兩項專利均具法律效力（註 2）。本案核心在英諾賽科未經授權使用英飛凌的氮化鎵專利技術。委員會最終裁決 2026 年 4 月 2 日公布。若這項初步裁決最終獲得確認，將導致英諾賽科涉嫌侵權的產品禁止進口美國。 繼續閱讀..

百瓦級大功率快充需求擴大，估 2025 年 GaN 快充市場滲透率將超越五成
作者 |發布日期 2021 年 10 月 26 日 15:15 |
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分類 材料、設備 , 能源科技 , 電力儲存

蘋果（Apple）全新 MacBook Pro 的 140W USB-C 電源轉接器，首次採用 GaN 技術，顯示百瓦級大功率快充產品進入成長期，加速第三代半導體消費應用發展擴張。據 TrendForce 研究，氮化鎵（GaN）功率電晶體價格不斷下降（已逼近約 1 美元），以及技術方案愈趨成熟，預估至 2025 年 GaN 整體快充領域市場滲透率將達 52%。 繼續閱讀..

拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片
作者 |發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 |
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分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..