中國最高法院維持 GaN 專利禁令，英飛凌部分產品在中國銷售受限 |
作者
TechNews|發布日期
2026 年 06 月 15 日 13:43 |
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根據英諾賽科（Innoscience）發布的最新聲明表示，中國最高人民法院已針對其與英飛凌（Infineon）的專利侵權訴訟做出複議裁定，維持先前對英飛凌部分氮化鎵（GaN）產品的銷售禁令。
美國國際貿易委員會裁定，英飛凌提告英諾賽科專利侵權案勝訴 |
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作者
PR Newswire|發布日期
2025 年 12 月 06 日 14:00 |
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美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利（註 1）。初步判決，美國國際貿易委員會也確認了英飛凌本案訴訟主張的兩項專利均具法律效力（註 2）。本案核心在英諾賽科未經授權使用英飛凌的氮化鎵專利技術。委員會最終裁決 2026 年 4 月 2 日公布。若這項初步裁決最終獲得確認，將導致英諾賽科涉嫌侵權的產品禁止進口美國。 繼續閱讀..
拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
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作者
拓墣產研|發布日期
2021 年 08 月 20 日 7:30 |
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以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..
