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百瓦級大功率快充需求擴大,估 2025 年 GaN 快充市場滲透率將超越五成

作者 |發布日期 2021 年 10 月 26 日 15:15 | 分類 材料、設備 , 能源科技 , 電力儲存

蘋果(Apple)全新 MacBook Pro 的 140W USB-C 電源轉接器,首次採用 GaN 技術,顯示百瓦級大功率快充產品進入成長期,加速第三代半導體消費應用發展擴張。據 TrendForce 研究,氮化鎵(GaN)功率電晶體價格不斷下降(已逼近約 1 美元),以及技術方案愈趨成熟,預估至 2025 年 GaN 整體快充領域市場滲透率將達 52%。 繼續閱讀..

拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片

作者 |發布日期 2021 年 08 月 20 日 7:30 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區

以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限,採用氮化鎵(GaN)晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案,GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦,中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片,分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A,4 款晶片耐壓皆可達 650V,封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..