韓媒：輝達擬在 Vera Rubin 導入 HBM4 分級供應策略

根據韓媒報導，市場傳出輝達正考慮在下半年推出的次世代 AI 加速器「Vera Rubin」上，導入 HBM4「Dual Bin（雙分級）」供應策略，將記憶體依速度與性能表現區分等級搭載。

根據業界消息，所謂 Dual Bin 策略，是在相同設計基礎下，輝達考慮將依實際測試結果將產品區分為不同性能等級進行供應。在 HBM4 世代中，可區分為 11.7Gbps 以上的最高速區間，以及 10Gbps 等級的次高階區間，形成性能差異化配置。

市場觀察指出，輝達在規劃 Rubin 平台時，將優先確保高性能 HBM4，並於核心型號搭載最高速等級產品；同時在部分產品線導入次高階版本，形成「性能優先、分級配置」的雙軌模式，在確保旗艦性能的同時提升供應彈性。

供應端方面，三星電子已宣布 HBM4 量產出貨，並強調其產品可實現 11.7Gbps 以上速度表現；SK 海力士亦預計啟動 HBM4 量產。

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（首圖來源：三星）