韓媒:三星來了!1c DRAM 良率突破 50%,HBM4 下半年量產 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 07 月 18 日 15:35 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體 | edit 三星電子傳出已成功突破 10 奈米級第六代(1c)DRAM 製程的良率門檻,達到超過 50%,計劃導入第六代 HBM(HBM4),並在下半年量產。 繼續閱讀..
美光最新財報 HBM 翻倍成長,將逆襲成為市場領導者 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 26 日 11:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 記憶體大廠美光(Micron)以空前速度積極擴大高頻寬記憶體(HBM)事業版圖,不僅財務創歷史新高,更在 HBM 市場展現明確野心與前瞻性,目標不久將來成為 HBM 關鍵領導者。 繼續閱讀..
【更新】SK 海力士再度領先美光與三星,送樣提供輝達 16 層堆疊 HBM4 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 19 日 15:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 外媒報導,SK 海力士近期再次在高頻寬記憶體(HBM)市場取得領先地位,成為首家向輝達 (NVIDIA) 供應下一代 HBM4 模組的廠商。這些記憶體將用於輝達的 Rubin AI GPU 的樣品測試。這代表著 SK 海力士在 HBM 領域的持續主導地位,並在與美光和三星的競爭脫穎而出。 繼續閱讀..
三星抓到浮木 HBM,穩供 AMD MI350 外也指望 MI400 系列 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 16 日 11:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國媒體報導,處理器大廠 AMD 上週發表人工智慧 (AI) 晶片 MI350 系列搭載三星 12 層堆疊 HBM3E 高頻寬記憶體,對三星當然是好消息,因輝達 (NVIDIA) HBM 認證一直遭遇挫折。AMD 明年要推 MI400 系列晶片,也對三星的 HBM4 供應有所期待。 繼續閱讀..
美光 12 層堆疊 36GB HBM4 已送樣,2026 年量產 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 12 日 14:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 記憶體大廠美光表示,資料中心對 AI 訓練與推論工作執行需求持續升溫,高效能記憶體重要性達歷史新高。美光 12 日宣布將 12 層堆疊的 36GB HBM4 送樣給多家主要客戶。 繼續閱讀..
HBM4 新規格拉高製造門檻,溢價幅度估逾 30% 作者 TechNews|發布日期 2025 年 05 月 22 日 14:03 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit TrendForce 最新研究,HBM 發展受 AI 伺服器需求帶動,三大原廠積極推動 HBM4 產品進度。因 HBM4 的 I/O 數增加,複雜晶片設計使晶圓面積增加,且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能,皆推升成本。有鑑 HBM3e 甫推出時溢價比例約 20%,製造難度更高 HBM4 溢價幅度或突破 30%。 繼續閱讀..
JEDEC 正式發表 HBM4 記憶體標準,大幅提升頻寬與效率 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 04 月 18 日 20:29 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit JEDEC(固態技術協會)已正式發布 HBM4 標準,代號 JESD238,這是一項全新記憶體規範,旨在因應 AI 工作負載、高效能運算(HPC)及先進資料中心日益提升的需求。 繼續閱讀..
創意推全球首款 HBM4 IP,於台積電 N3P 製程完成投片 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 04 月 02 日 17:23 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 | edit 先進 ASIC 領導廠創意電子今(2 日)宣布成功完成 HBM4 控制器與實體層(PHY)矽智財(IP)的投片。該晶片採用台積電最先進的 N3P 製程技術,並結合 CoWoS-R 先進封裝技術實現。 繼續閱讀..
今年 HBM 產能已售罄!SK 海力士:明年產能有望今上半年提前賣光 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 03 月 28 日 10:10 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 | edit SK 海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)週四(27 日)在年度股東大會上表示,今年高頻寬記憶體(HBM)產能已銷售一空。與客戶洽談結束後,預期明年(2026 年)產能也將在今年上半年售罄。 繼續閱讀..
客戶訂單暴增!SK 海力士 M15X 廠提前兩個月裝機,應對 HBM 需求 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 03 月 20 日 10:11 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit SK 海力士計劃提前兩個月在全新 M15X 晶圓廠導入設備,較原定計畫提前。消息人士指出,此舉主要是因為來自客戶的高頻寬記憶體(HBM)訂單暴增。 繼續閱讀..
爭取 HBM4 獲輝達驗證?傳三星重設計 1c DRAM 製程 作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 02 月 12 日 15:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 三星電子(Samsung Electronics Co.)據傳重新設計第 6 代 1c 製程 DRAM 來改善良率,這對即將推出的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」產量能否穩定至關重要。 繼續閱讀..
韓媒:輝達次代 AI 晶片 Rubin 有望提前六個月發表 作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 01 月 13 日 14:45 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片 | edit 韓媒傳出,輝達(Nvidia Corp.)將次世代 AI 加速器「Rubin」的發表時程提前六個月,三星電子(Samsung Electronics)也加快腳步跟上。 繼續閱讀..
三星完成 HBM4 邏輯晶片設計,採自家 4 奈米製程 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 01 月 03 日 17:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國朝鮮日報報導,三星 DS 部門記憶體業務部最近完成 HBM4 高頻寬記憶體邏輯晶片的設計,Foundry 業務部方面也已經根據該設計,採 4 奈米試產。待完成邏輯晶片的最終性能驗證後,三星將提供 HBM4 樣品驗證。 繼續閱讀..
傳 SK 海力士改採台積電 3 奈米產 HBM4,三星考慮跟進 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 12 月 04 日 14:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 | edit 市場謠傳,SK海力士(SK Hynix)將應重要客戶要求,於明(2025)年下半以 3 奈米生產客製化的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」,而非原定的 5 奈米製程。 繼續閱讀..
特斯拉致力開發 AI 晶片,傳要三星、SK 海力士提供 HBM4 樣本 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 20 日 13:30 | 分類 AI 人工智慧 , 國際貿易 , 晶片 | edit 韓媒傳出,特斯拉(Tesla Inc.)為了開發自有的 AI 晶片,已要求三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK Hynix Inc.)提供第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」樣本。 繼續閱讀..