美商記憶體大廠美光（Micron）在第六代高頻寬記憶體（HBM4）的擴產目前進展相當順利，該公司並計劃於 2027 年開始量產新世代 HBM4E 標準產品。
美光全球營運執行副總裁 Manish Bhatia 於 5 月 20 日外資摩根大通的投資者會議上指出，為了輝達（Nvidia）的 Vera Rubin AI 運算平台所設計的美光 HBM4 ，其產能提升速度大約是前一年 HBM3E 產品的兩倍，且良率改善的速度也更為迅速。
美光將 HBM4 產能得以加速推進歸功於三大因素，首先是從過去量產 HBM3 及 HBM3E 產品中所累積的營運經驗與學習效應。其次，HBM4 的核心晶粒（core dies）採用了美光目前主力的 10 奈米級第五代 1-beta (1β) 製程，該製程的效能與良率已證實相當穩定。第三項原因則是美光內部最佳化的基礎晶片（base die），透過將 1β DRAM 與內部自製的基礎晶片結合，成功將產品的品質與效能最大化。
然而，針對下一世代的 HBM4E，美光的生產策略也將出現重大轉變。其中在核心晶粒方面，將改採 10 奈米級第六代 1-gamma (1γ) 製程生產，這也是美光首個採用 ASML 極紫外光（EUV）微影設備的製程節點，技術層級相當於對手三星和 SK 海力士的 1c 製程。而在基礎晶片方面，美光將不再由內部製造，而是轉交由晶圓代工夥伴台積電負責生產。
Manish Bhatia 表示，HBM4E 的開發進展順利，預期 2027 年就能進入量產階段。首波量產的將是 JEDEC 標準產品，同時美光也在籌備針對客戶需求量身打造的客製化產品。雖然客製化版本的成本較高，但憑藉其提升的效能與額外附加功能，美光預期客戶需求將非常強勁。
在市場競爭方面，三星電子與 SK 海力士同樣正運用各自的 1c 製程積極開發 HBM4E。三星計畫於 2026 年第二季出貨首批 HBM4E 樣品，其基礎晶片將採用三星自家晶圓代工廠的 4 奈米製程製造。SK 海力士則目標在 2026 年下半年向客戶提供樣品，並於 2027 年展開量產，其基礎晶片據傳也將採用台積電的 3 奈米製程生產。
展望未來產能布局，美光預估到了 2026 年中期，採用 1γ 節點生產的 DRAM 以及第九代 NAND 快閃記憶體產品，將占其總位元出貨量的 50% 以上。其中，1γ DRAM 預計將成為美光總晶圓產量中占比最大的單一 DRAM 製程節點。
(首圖來源：美光提供)
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