韓國記憶體大廠 SK 海力士今年 IEEE IMW 國際存儲研討會,分享 HBM4E 記憶體開發週期縮短到一年,也介紹更多細節。SK 海力士技術員 Kim Kwi Wook 表示,SK 海力士計劃第六代 10 奈米級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片構建 HBM4E 記憶體。
SK 海力士 HBM4 採用第六代 1c 製程 DRAM |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 16 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 記憶體 |