三星 HBM4E Base Die 完成前段設計,後段實體設計啟動 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 01 月 23 日 9:09 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 三星電子第七代高頻寬記憶體 HBM4E 開發進程持續推進。根據《The Elec》報導,三星 HBM4E 已完成基底晶粒(base die)前段設計,並正式進入後段(back-end)實體設計階段,距離投片再向前邁進一步。 繼續閱讀..
美光送樣業界最快 HBM4 產品,還與台積電洽談合作 HBM4E 基礎晶片 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 25 日 8:40 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit 記憶體代廠美光科技(Micron)近日宣布,DRAM 與 NAND Flash 部門取得多項關鍵進展,特別是在高頻寬記憶體(HBM)領域,不僅帶動強勁的業績成長,更確立了在下一代 HBM 技術上的領導地位。 繼續閱讀..
SK 海力士 HBM4 採用第六代 1c 製程 DRAM 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 16 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國記憶體大廠 SK 海力士今年 IEEE IMW 國際存儲研討會,分享 HBM4E 記憶體開發週期縮短到一年,也介紹更多細節。SK 海力士技術員 Kim Kwi Wook 表示,SK 海力士計劃第六代 10 奈米級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片構建 HBM4E 記憶體。 繼續閱讀..
SK 海力士加速 HBM4E 研發拚 2026 量產,比原訂早一年 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 14 日 10:45 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit SK 海力士(SK hynix)最新一代記憶體產品 HBM4E 醞釀中,2026 年有望量產,比原先預估的時程提早約一年。 繼續閱讀..
美光發表最新藍圖,明年推 GDDR7、2026 年頻寬容量再升級 作者 林 妤柔|發布日期 2023 年 11 月 14 日 14:13 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區 | edit 記憶體大廠美光近期公布最新路線圖,包括 DDR5、GDDR7 和 HBM4E 記憶體技術,其中 GDDR7 正好趕上明年底下一代輝達 GPU 晶片。 繼續閱讀..