SK 海力士 HBM4 採用第六代 1c 製程 DRAM
作者 | 發布日期 2024 年 05 月 16 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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SK 海力士 HBM4 採用第六代 1c 製程 DRAM

韓國記憶體大廠 SK 海力士今年 IEEE IMW 國際存儲研討會，分享 HBM4E 記憶體開發週期縮短到一年，也介紹更多細節。SK 海力士技術員 Kim Kwi Wook 表示，SK 海力士計劃第六代 10 奈米級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片構建 HBM4E 記憶體。

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