Tag Archives: HBM

三星混合鍵合 HBM 延至 2029 年，瞄準輝達 Feynman 平台一次亮相

作者林妤柔|發布日期 2026 年 07 月 22 日 9:51 |

分類 Samsung , 半導體 , 封裝測試

隨著高頻寬記憶體（HBM）持續朝更高堆疊層數與更高頻寬演進，市場普遍視混合鍵合（Hybrid Bonding）為下一代 HBM 關鍵封裝技術。不過韓國業界消息傳出，三星可能將混合鍵合 HBM 大規模量產時程延後至 2029 至 2030 年，並與 NVIDIA 下一代 Feynman AI GPU 平台同步導入。繼續閱讀..

台積產能爆傳三星 2 奈米需求激增擬外包 TPU 設計

作者 MoneyDJ|發布日期 2026 年 07 月 16 日 14:30 |

分類 Google , Samsung , 半導體

韓媒傳出，由於晶圓代工需求攀升導致內部工程資源吃緊，三星電子（Samsung Electronics）考慮將 Google 2 奈米張量處理器（TPU）的輸入／輸出（I/O）晶片後端設計（back-end design）外包，並尋求外部合作夥伴的支援。繼續閱讀..

長鑫存儲上市募資 579 億人民幣！推進下一階段 DRAM 與產能布局

作者林妤柔|發布日期 2026 年 07 月 16 日 11:16 |

分類中國觀察 , 晶片 , 記憶體

長鑫存儲今（16 日）在上海科創板掛牌上市，募資 579 億人民幣，資金將投入 G5 製程、HBM3 研發及產能擴建。以每股 8.66 人民幣發行價計算，長鑫存儲市值約 800 億美元，與全球主要 DRAM 供應商 SK 海力士及美光相比仍有差距。繼續閱讀..

HBM 漲價動能降溫！繼上週在美掛牌上市，SK 海力士考慮買進韓國公債

作者林妤柔|發布日期 2026 年 07 月 14 日 11:31 |

分類 AI 人工智慧 , 記憶體 , 證券

韓記憶體大廠 SK 海力士正考慮買進韓國政府公債。市場消息先前傳出，SK 海力士計劃將上週透過美國存託憑證（ADR）發行所募集的部分資金匯回韓國，用於投資記憶體晶片製造設施。如今公司高層最新表示，SK 海力士也可能將部分資金配置韓國公債。繼續閱讀..

SK 海力士美股掛牌後獲利了結，首爾股價一度跌逾 10%

作者中央社|發布日期 2026 年 07 月 13 日 14:10 |

分類晶片 , 證券 , 財經

全球人工智慧（AI）記憶體晶片大廠 SK 海力士（SK Hynix）10 日首度在美國那斯達克掛牌交易後股價大漲 12.8%，投資人趁機獲利了結，導致 13 日首爾早盤股價一度下跌 10.1%。繼續閱讀..

日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計，DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2026 年 07 月 13 日 10:50 |

分類半導體 , 記憶體

韓國與日本研究團隊近日提出兩種全新的記憶體整合構想，試圖在不讓高頻寬記憶體（HBM）堆疊持續升高的情況下，提升容量與頻寬，同時緩解 AI 晶片最棘手的散熱壓力。兩項研究都在 6 月舉行的 2026 IEEE/JSAP VLSI Technology and Circuits Symposium 上發表，核心思路都是把 DRAM 晶片從傳統「向上堆疊」改為「側向立起」配置。繼續閱讀..

SK 海力士示警，2027 年將面臨史上最嚴重記憶體供應短缺

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 07 月 11 日 11:00 |

分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Nvidia

韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）近日發出警告，指出全球記憶體產業將在 2027 年面臨史上最嚴重的供應短缺。儘管公司正積極擴充產能，但他預測在下個十年的大部分時間裡，市場對記憶體的需求仍將遠超公司的生產能力。

繼續閱讀..

SK hynix 登陸那斯達克發行 ADR，市場看好後續表現首日開盤大漲 14%

作者 Atkinson|發布日期 2026 年 07 月 11 日 10:00 |

分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

韓國記憶體晶片大廠 SK 海力士（SK hynix）於本月 10 日，正式在美國那斯達克（NASDAQ）發行美國存託憑證（ADR）。受惠於全球人工智慧（AI）熱潮帶動的晶片強勁需求，SK 海力士掛牌首日表現亮眼，開盤價達 170 美元（發行價為 149 美元），股價大漲 14%。此次發行共募資高達 265 億美元，創下外國企業在美國最大規模的首次公開募股（IPO）紀錄。

繼續閱讀..