Tag Archives: HBM3E

DDR5 高獲利放大產能排擠效應,2026 年 HBM3e 定價動能同步轉強

作者 |發布日期 2025 年 12 月 18 日 14:50 | 分類 半導體 , 記憶體

根據 TrendForce 最新調查,近期因記憶體市況呈現供不應求,帶動一般型 DRAM(conventional DRAM)價格急速攀升,儘管 HBM3e 受惠於 GPU、ASIC 訂單同步上修,價格也隨之走揚,預期未來一年 HBM3e 和 DDR5 的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。 繼續閱讀..

SK 海力士調整 2026 年 HBM4 量產時間與產能,是為了這原因

作者 |發布日期 2025 年 12 月 08 日 11:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

ZDNet Korea 報導,SK 海力士修改 HBM4 生產計畫,原計畫 2026 年 2 月量產 HBM4,並第二季末擴大產量,以配合 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 完成 HBM4 品質驗證時間點,達快速擴產。修正後 HBM4 實際量產起始時間延至 2026 年 3~4 月,擴大生產時間點延至第三季。HBM4 量產所需材料和零組件供應速度也放緩。

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DRAM 供應吃緊推高 DDR5 合約價,2026 年獲利有望超越 HBM3e

作者 |發布日期 2025 年 10 月 29 日 16:24 | 分類 伺服器 , 記憶體 , 財經

TrendForce 最新調查,第四季伺服器 DRAM 合約價受惠於全球雲端供應商(CSP)擴充資料中心規模,漲勢轉強,帶動整體DRAM價格上揚。儘管第四季 DRAM 合約價未完整開出,供應商先前收到 CSP 加單需求後,調升報價的意願明顯提高。TrendForce 據此調整第四季一般型(conventional DRAM)價格預估,漲幅從 8%~13% 上修至 18%~23%,且極有可能再度上修。 繼續閱讀..

1Q25 DRAM 營收季減 5.5%,三星寶座讓給 SK 海力士

作者 |發布日期 2025 年 06 月 03 日 14:20 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 最新調查,2025 年第一季因一般型 DRAM(conventional DRAM)合約價下跌,加上 HBM 出貨規模收斂,DRAM 產業營收 270.1 億美元,季減 5.5%。平均銷售單價方面,三星更改 HBM3e 產品設計,HBM 產能排擠效應減弱,使下游業者去化庫存,導致多數產品合約價延續 2024 年第四季以來跌勢。 繼續閱讀..

HBM4 新規格拉高製造門檻,溢價幅度估逾 30%

作者 |發布日期 2025 年 05 月 22 日 14:03 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 最新研究,HBM 發展受 AI 伺服器需求帶動,三大原廠積極推動 HBM4 產品進度。因 HBM4 的 I/O 數增加,複雜晶片設計使晶圓面積增加,且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能,皆推升成本。有鑑 HBM3e 甫推出時溢價比例約 20%,製造難度更高 HBM4 溢價幅度或突破 30%。 繼續閱讀..