穩過輝達品質認證？三星信心滿滿提前量產 12 層堆疊 HBM3E

韓國媒體 ZDNet Korea 報導，三星電子 2 月已開始量產 12 層堆疊 HBM3E 高頻寬記憶體，但三星尚未通過輝達 12 層堆疊、單層達 36GB 容量 HBM3E 認證，無法供貨輝達，此決定可說是冒著累積大量庫存的風險。

三星考慮到 HBM3 生產流程需五六個月，即使 6~7 月取得輝達供貨許可，照生產流程估算，最後出貨會到年底，依輝達快速更新產品節奏，應有部分需求已前進到 HBM4，故三星決定冒著庫存風險提前生產。

報導引用消息人士說法，三星對增強型 12 層堆疊 HBM3E 性能和穩定性充滿信心，認為可順利通過輝達認證，提前量產代表可馬上供貨，對三星達成 2025 年 HBM 記憶體位元數達去年兩倍的目標大有好處。

韓國媒體報導，6 月輝達要最終驗收三星 HBM3E，若達標就能開始供貨。三星全力應戰，盼挹注 HBM 收入。輝達最新 AI 晶片採 12 層堆疊 HBM3E，主供應商為 SK 海力士（SK Hynix）。

因不敵中國 DRAM 商削價競爭，加上 HBM 進度緩慢，三星半導體業務獲利持續拉警報。2024 年第二季三星半導體營業利益仍有 6.5 兆韓圜，到第三季僅剩 3.9 兆韓圜，第四季更縮減至 2.9 兆韓圜。2025 年第一季財報顯示，營業利益更下跌到 1.1 兆韓圜。

(首圖來源：三星)