美光發表最新藍圖，明年推 GDDR7、2026 年頻寬容量再升級

記憶體大廠美光近期公布最新路線圖，包括 DDR5、GDDR7 和 HBM4E 記憶體技術，其中 GDDR7 正好趕上明年底下一代輝達 GPU 晶片。

美光最新路線圖延長至 2028 年，比 7 月發布時延長兩年，內容也調整過，增加幾款新產品。美光目前第二代 HBM3 運行速度為 1.2TB/s，為 8 層堆疊，預計 2026 年推出 12 和 16 層堆疊的 HBM4，頻寬超過 1.5TB/ s；到 2027~2028 年，將發布 12 層和 16 層堆疊的 HBM4E，頻寬可達 2TB/s 以上。

至於 GDDR7 上市時間有些改變，從 2024 上半年延後到年底，與目前最快的 GDDR6X 模組（最高容量為16Gb，頻寬為 24Gb/s）相比，容量和頻寬都提高。首批 GDDR7 容量提高至 24Gb，頻寬為 32Gb/s；到 2026 年下半年，會推出更快的 GDDR7，頻寬和容量將增至 36Gb/s。

輝達曾表示 Blackwell 將於 2025 年面世，而輝達下一代 GeForce RTX 50 系列有望使用美光 GDDR7 記憶體。

DDR5 記憶體部分，美光為消費者和資料中心設定不同的產品線，計畫基礎是新 32Gb 單體設計。這種高容量模組將應用於 128GB DDR5-8000 記憶體條，一直延伸至 2026 年供桌機用戶使用。

同時美光還開發用於伺服器的 MCRDIMM 產品，速度為 8000 MT/s。這種設計的巔峰將是 2025 年底推出的 256GB 記憶體條，運行速度為 12800Mb/s。

在行動領域部分，美光將在 2024 年底採用 Dell CAMM 標準，焦點似乎在提高容量而非頻寬，公司也表示將在2026 年前使用 8533Mb/s 速率的記憶體條。第一代設計每條將提供 16GB 至 128GB 容量，到 2026 下半年，每個模組容量將增至 192GB 或更高。